引用:
|
作者lightgreen1983
小弟辛苦看完...雖然不是看的很懂，但請容許我寫些心得與想法^^"
1.我看Weichung大大那篇並沒有完全否認是設計的問題，而是說設計與製成兩者都有問題，然後製程的漏電流是主因
|
很可惜的我沒看到Wdichung有針對他的論點提出有效的証明
引用:
|
作者lightgreen1983
2.我前面有看到人家提到屎揚跟prescott，其實也可以把它拿來跟6xx系列比一比呀，這樣可以看到5xx系列的1M cache跟6xx系列的2M cache到底差多少。如果差沒有很多是否著就代表sram對於發熱的貢獻並沒有那麼巨大呢?
3.雖然dothan電晶體比較多好像有一億四千萬左右吧，但是prescott只有一億兩千五百萬左右，相比banias多很多，不過考慮一下6xx有到一億七千萬吧好像也沒比presoctt熱很多。如果以1bit的sram有6個電晶體來說，記得dothan多出來的電晶體好像大部分都拿去做sram囉。況且做ram的難度應該不能與邏輯電路相提並論吧。要不然應該也可以叫力晶去替nvidia代工了。
4.我記得lowk應該不是拿來減低漏電流的吧，highk才是喔!...
|
SRAM確實是每單位電晶體耗電量不高 但是把Dothan低耗電的原因全放在SRAM上好像也不對吧 更何況P4 5xx系列也帶有1MB的Cache SRAM佔總體Die的體積也超過一半了
(記得沒錯的話是這樣啦 有錯請鞭)
各大CPU廠..AMD IBM 也早就進入90nm製程 熱量卻比.13um來的低
Intel是全世界最早進入90nm製程的 製程號稱領先全球
如果90nm的漏電流尚未解決 你認為這家廠商為什麼有膽比別人更快
預估今年底Intel又要領先全球帶入65nm
90nm的漏電都沒解決的話 65nm更難了
各家廠商在進入90nm的時候都認為功耗會因為90nm而下降 結果確實如此
只有Intel拿了漏電流這個原因當擋箭牌(?
仔細想想 K8 .13um和90nm只是做一點些微改良 基本上是差不多的東西
但是P4C Nothwood 和P4E Prescott 卻是管線從20->31
而且加入一堆有的沒有的新功能 包括更複雜的分支預測和指令預讀..etc
之前有人猜Prescott本來要叫做Pentium5
因為根本的設計上就和P4 nothwood不太一樣
Intel P4的90nm和.13um 根本是兩種設計上相當不同的晶片
看到這邊 應該能夠合理推測P4 90nm的高耗電主要原因出在設計上的問題
漏電流也許只是個其中小問題罷了 但是Intel的製程一向領先全球
怎麼想也覺得不太可能會因為製程上的不成熟就急於跳進90nm
Low-k的確不是用來解決漏電流問題 這點我弄錯了 抱歉了
