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alience
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加入日期: Mar 2003
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文章: 597
引用:
作者murodoch
presscott熱不是指idle熱 presscott熱是相對于AMD而言的 因爲AMD在進入90nm的后功耗比130nm並沒有多少增加 而presscott在進入90nm后功耗大增 這也是大家爭論的焦點!
對於爲何會出現這種情況 上面已經作了分析:是由於兩家公司在對靜態功耗的控制方面的能力所決定的!靜態功耗其實就是由形形色色的漏電流構成的 其中包括柵極漏電流 襯底漏電流和亞閥值漏電流
這些漏電流都會隨著電晶體的體積的變小而增加 當製作工藝從0.13提升到0.09的時候自然會引起漏電流的增加 並且是呈指數增加 上面有數據 在0.25的時候是不到1% 到了0.13的時候是3%-5% 而到了0.09恐怕已經到了25% 在0.13和0.09之間靜態功耗佔總功耗的比例上升了20% (intel方面)
presscott出現功耗大增也就不足爲怪了。
對於low-k 技術 在intel技術白皮書當中的介紹是“減少銅互連的導綫之間的電容”類似于絕緣夕。


奇怪..你真的邏輯有問題..我懷疑你看不懂我的圖..不然就是理解力太差
1.AMD進入90nm不是功耗沒有增加多少,而是降低非常多
2.prescott只有90nm產品,何來進入90nm功耗大增之說,根本沒對比組
3.你上面那篇分析根本就是亂七八糟..完全講錯,麻煩把圖完全看懂,不然你根本不知道你犯了最基本的錯誤
4.low-k為什麼是類似於絕緣矽??low-k的重點在哪裡??麻煩搞清楚再回
5.漏電流佔總功率消耗的資料哪裡來的??請給個連結..別告訴我自己想的
6.人家說prescott熱是指full load,誰在跟你提idle,我看你完全搞不清楚狀況
舊 2005-05-07, 02:37 PM #183
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