引用:
作者murodoch
呵呵 不好意思 大陸這邊就是這麽稱呼的!
有一點需要説明 靜態功耗就是由形形色色的漏電流組成的。隨著工藝的進步靜態功耗(漏電流)在功耗中佔的比例是呈指數級增長的 翻了下資料 在0.25微米中靜態功耗佔縂功率的1%不到
在0.13微米當中佔3%-5% 而到了0.09微米 則佔了25%(這個數據不確定) 靜態功耗可見一斑!
其實Intel的長處在於動態功耗(英文怎麽表示我不清楚)使用的技術主要是low-k低介電常數絕緣技術 以及核心電壓控制技術
AMD的長處是在靜態功耗 也就是idle power 使用的主要是soi技術 也就是絕緣夕技術
這就是爲什麽在intel進入0.09nm后功耗大增的原因所在 因爲隨著主頻的提高和工藝的降低使得靜態功耗的影響加大,而intel本身就不擅長對靜態功耗的控制(沒有...
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哇咧..又來了
prescott熱是指idle熱嗎??別搞錯了
prescott idle時有EIST運作
對比之下哪有熱到哪裡去
當然k8也有CnQ
請仔細看圖
idle之下k8只比prescott省電一點點
full load之下k8的功耗遠低於Prescott
跟你上述的論點完全相反
簡單的說..你上面這篇又是完全錯誤的解釋..我也不知道如何幫你更正了
還有low-k為什麼可以降低漏電流??
麻煩不要把所有的製程技術都跟漏電流扯上關係@@
還有你圖真的完全看不懂耶