引用:
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作者murodoch
漏電可不是這麽好解決的！！如果說漏電主要是因爲電晶體之間的距離過近 那麽在AMD 90nm產品中是否存在同樣的現象？如果不存在的話 他們是通過什麽方法解決的?
僅僅是一個絕緣夕？
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漏電的主因是電晶體之間距離過近??
哇咧..想像力會不會太豐富了
我前面就講過了..要比較要有系統的比較
相似的核心從130nm轉90nm功耗都下降了
prescott沒有相對130nm的核心可供比較
根本就拿不出"漏電流是高熱的主因"的證據
何必老是執著於漏電流的討論
AMD在130nm有沒有SOI..有呀..又不是90nm才用的
說應變矽會增大漏電流好了,P-M一樣用應變矽呀
說Dothan有節電技術好了..Banis也有相同的技術呀
prescott溫度高就是高了..主要原因也只有intel知道
intel先放風聲說漏電,後來又改口說是core的設計問題
真相是什麼也只有intel自己知道了