小弟辛苦看完...雖然不是看的很懂，但請容許我寫些心得與想法^^"
1.我看Weichung大大那篇並沒有完全否認是設計的問題，而是說設計與製成兩者都有問題，然後製程的漏電流是主因
2.我前面有看到人家提到屎揚跟prescott，其實也可以把它拿來跟6xx系列比一比呀，這樣可以看到5xx系列的1M cache跟6xx系列的2M cache到底差多少。如果差沒有很多是否著就代表sram對於發熱的貢獻並沒有那麼巨大呢?
3.雖然dothan電晶體比較多好像有一億四千萬左右吧，但是prescott只有一億兩千五百萬左右，相比banias多很多，不過考慮一下6xx有到一億七千萬吧好像也沒比presoctt熱很多。如果以1bit的sram有6個電晶體來說，記得dothan多出來的電晶體好像大部分都拿去做sram囉。況且做ram的難度應該不能與邏輯電路相提並論吧。要不然應該也可以叫力晶去替nvidia代工了。
4.我記得lowk應該不是拿來減低漏電流的吧，highk才是喔!!要不然soi也可以。至於應變矽應該會造成漏電流上升吧，這點是聽通識課老師說的。因為應變矽的閘極會比較關不住電流耶。

所以我想Weichung所以我想大大提出prescott會有嚴重漏電流不是沒有道理的，不輪是再intel自己的說法，國內外媒體的說法，以及使用了應變矽，同時卻又並未像amd加入soi。所以有嚴重的漏電流並非憑空想像吧。而且先前murodoch大就提出了dothan節電的方法，所已樓上說完全被dothan打翻也不一定吧。