引用:
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作者Weichung
K8很久前就導入了SOI技術, 就是減少漏電流...
假若K8不使用SOI... 而又貿然進入110nm/90nm那漏電問題恐怕也會很嚴重吧..
Intel目前是打算透過High-K來降低漏電流的問題(當然還是會漏... 漏多漏少而已)
或許應該是說Intel之前的決策者太過自負, 認定自身的優良製造技術及行銷首發即使碰上漏電流(發燙)仍然可以領導掌控者個市場, 不會有什麼大麻煩... 但事實上卻造就了AMD一個天大的好機會...
哈哈... 雖然我這台電腦是P4... :P 還是2.4G oc 3.8G... 嘿嘿... 但CPU還真的是給他小燙
回歸正題, P4 Prescott... 即使有部份網友質疑不是單純漏電流的問題... 但我還是要說
那確實是漏電流的問題, 但是重點在於...
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重點在哪 ... 抱歉我看不出閣下的文章重點在哪
這串主題不是在討論
Prescott為什麼熱的原因嗎
引用:
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作者Weichung
1. 不管是不是漏電流的問題, Prescott發燙與耗電是事實
2. 耗電以及發燙問題, Intel難辭其咎
3. Intel就目前而言, 尚無法立刻改善這個問題
所以其實大家也不需要去爭執發燙與耗電到底是不是漏電流的問題,
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你是政客嗎= = 拐彎抹角就是不提重點
引用:
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作者Weichung
雖然我真的很想告訴大家, 那真的主要是漏電流, 不過並不是同樣製程就會有相同的漏電流... 懂意思嘛?
就是說漏電流造成了高耗電以及高熱... 同時製程愈小漏電流問題就會越來越嚴重, 但並不代表所有東西都會那麼嚴重, 還跟他的電路設計以及製程設計有關... 以上的重點就是
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先幫你整理你的論點 : 不然你這篇文章看起來實在太痛苦了 找不出重點
主要原因是漏電流 次要是電路設計 和 製程設計
引用:
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作者Weichung
1. 漏電流會不會造成高溫以及高耗電 ?=> 會
2. 製程不斷縮小,電晶體目的越來越高, 漏電流的問題會不會越來越嚴重? => 會 (P.S. 需透過其他技術輔助,降低此一問題的影響)
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前兩點是大家都已知的常識 這沒問題
引用:
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作者Weichung
3. Prescott有沒有嚴重的漏電流? => 有
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Prescott有"嚴重"的漏電流 ?
好吧 姑且先把你這句話翻譯成 Prescott的漏電流
嚴重到使得熱量和能耗增加
這就怪了 這個證明是從哪一條推論來的 還是你要告訴我你是Intel工程師....
還是你是相信那個早期"Intel發言人"放話說漏電流是主因然後後來紙包不住火只好改口說是設計問題
引用:
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作者Weichung
4. 同樣採用90nm製程的Dothan有沒有嚴重的漏電流? => 沒有 (首先Dothan時脈就非常低了,影響算是小非常多, 同時Dothan真正的核心也比Prescott小非常多, 電晶體主要都用在CACHE上)
5. 同樣採用90nm製程的K8有沒有嚴重的漏電流? => 沒有 (時脈較低, 也採用SOI技術降低漏電流的影響)
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一樣是眾人皆知的事 但是我可以告訴妳
大家知道能夠知道的資訊是Prescott高熱高耗能而P-M Dothan和K8低熱低耗能
但是漏電流多少%?? 廠商有公佈數據嗎
就事實來看的確可以推論說P-M Dothan和K8因為低熱低耗能 所以可以知道漏電流對這兩系列的CPU而言並沒有導致CPU高熱高耗能...但是漏電流佔多少%真的不太可能知道
這一整串討論串唯一值得討論的就是漏電流佔總耗電量約多少
而[90nm製程的漏電流導致Prescott高熱]這個結論早就被Intel自家的Dothan打翻了
只是很多人似乎連重點在哪都不知道
引用:
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作者Weichung
結論就是, 漏電流造成Prescott高溫高耗電, 而縮短線寬(90nm)確實也會使得漏電流變得
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更嚴重
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但Prescott的漏電流問題卻不單單只因為從130nm跳90nm造成的... 還有電路/製程設計上的問題
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到這裡就更神奇了
閣下的結論到底是怎麼推導出來的
你說的縮短線寬 是製程變細吧
這本來就是漏電流會擴大的原因
但是為什麼Intel工程師不會作出防止漏電流增加的方法而使漏電流降低
Low-K是擺著好玩的
[但Prescott的漏電流問題卻不單單只因為從130nm跳90nm造成的... 還有電路/製程設計上的問題]
電路設計不當? 電路設計是怎麼影響漏電流這種物理特性的 我倒是很想知道