引用:
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作者murodoch
雙應力應變硅技術淺析
一 應變硅是英文Strained Silicon的中文直譯。應變硅技術首先由IBM公司發明，而INTEL公司在業界首次將該技術應用于90NM工藝中，生𠖳Prescott微處理器。
要了解什樌是應變硅，首先要了解晶體管的基本原理，晶體管式一個小開亼，決定了電流的通與斷。在實際應用中我們無法無安全控制電流，必須借助一些技術來提高性能和降低功耗，如用絕緣硅SOI（Silicon on Insulator）是滛了防止洩露電流；而硬變硅技術剛好相反，是為了增加驅動晶體管電流而設計的。簡單來𪆒，就是讓晶體管開通使有更多的電流流過。
二 但需要𪆒明的是：由於高性能使用CMOS技術，同時包括NMOS和PMOS管，而不同類型的應變對這兩种晶體管的性能影響是不同的：NMOS只在張應變、PMOS只在壓應變情況下，性能才會得到提高；而NMOS在壓應變、PMOS在張應變情況下性能反而下降。因此...
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這個說明裡面沒有提到任何一句說應變矽（大陸把矽叫做硅）可以改善漏電流吧？@@a
倒是只有提到SOI可以有效降低漏電流而已啊....
Strained Silicon簡單一點說，就是利用晶格應變，使矽裡面的電子或電洞，增加他的移動速度，然後進而獲得更大的輸出電流。這技術純粹是幫助提升MOSFET的性能而已。
一點淺見，大家參考參考就好，謝謝！