雙應力應變硅技術淺析
一 應變硅是英文Strained Silicon的中文直譯。應變硅技術首先由IBM公司發明，而INTEL公司在業界首次將該技術應用于90NM工藝中，生産Prescott微處理器。
要了解什麽是應變硅，首先要了解晶體管的基本原理，晶體管式一個小開関，決定了電流的通與斷。在實際應用中我們無法無安全控制電流，必須借助一些技術來提高性能和降低功耗，如用絕緣硅SOI（Silicon on Insulator）是爲了防止洩露電流；而硬變硅技術剛好相反，是為了增加驅動晶體管電流而設計的。簡單來説，就是讓晶體管開通使有更多的電流流過。
二 但需要説明的是：由於高性能使用CMOS技術，同時包括NMOS和PMOS管，而不同類型的應變對這兩种晶體管的性能影響是不同的：NMOS只在張應變、PMOS只在壓應變情況下，性能才會得到提高；而NMOS在壓應變、PMOS在張應變情況下性能反而下降。因此，若襯底只採用一種應變的話，一種場效應管的性能可能提高了；而另一種的場效應管的性能可能沒有得到提高，甚至會下降。爲了最終得到CMOS性能的提高，必須在襯底上同時應用兩种應變，分別作用于不同類型的晶體管。
爲此，IBM和AMD聯合推出了DSL技術。
DSL技術是英文Dual Stress Liner的縮寫，意思是雙應力襯底技術。
三 研究結果表明，應用DSL技術后使得NFET和PFET的有效驅動電流分別增加%15和%32 飽和驅動電流分別增加%11和%20。同時空穴的遷移率增加了%60。同時，使用DSL隊產量影響不打大。對於相似的工藝技術過程，使用和不使用DSL技術，生産的微處理器的產量相當。這説明DSL技術能使用標準工具和材料迅速溶大批量生産中，對生産成本的增加不會太大。