大家都是肚子裡相當有墨水的人,很高興跟大家討論,雖然前面有幾篇小弟口氣也不是很好,請見諒
來做個整理好了,下午再跟幾個玩電路&材料的朋友討論一下,製程縮小導致漏電流大增是無庸置疑,但是晶圓廠的工程師總是會用各式各樣的方法去抑制漏電流,加上額定電壓的降低,所以同核心之下用較小(新)製程做出來的cpu總是變小變快變涼,
回歸原點,prescott為什麼會那麼熱??由於其核心使用電晶體數是northwood的兩倍多,且增加了非常多功能,去掉cache之後core用了將近3倍於northwood core的電晶體,在這種情況下根本沒有辦法去做漏電流的比較,即使是同時脈兩邊的立足點差太多
回頭看看製程轉換之後core幾乎相同的k8和P-M核心,在90nm的製程下功耗都比前一代核心降低不少,大家都知道90m漏電流一定比130nm大,所以intel&AMD加入更多其他技術來抑制漏電流也無庸置疑,但是這些抑制漏電流的技術會不用在prescott上嗎??當然不會,誰想出一顆熱的要死的cpu讓人詬病??
所以問題到底出在哪裡??漏電流出現了,抑制的技術也用上了,剩下的當然就是當初電路implemant或是core的design時就犯了錯誤,但是包括漏電流,或是這些設計上的失誤都不是我們enc user或是學工程學材料的人可以輕易了解並解釋的
根據理論,65nm製程之下不用說全速運作了,光是static時的漏電流就會讓電路本身受不了,所以65nm做不下去了嗎??當然不是,晶圓廠沒有兩把刷子怎能混下去??甚至intel已經表示在65nm生產的處理器TDP會略低於目前90nm處理器,雖然還沒有實品出來,根據理論65nm相對於90nm的漏電流會比90nm相對於130nm的漏電流更嚴重,但是耗電卻將下降,當然抑制漏電流的技術也再提升,所以漏電流真的是高熱的關鍵嗎??
prescott目前沒有前一代核心能做比較,只有等到65nm且沒有大幅更改核心的產品面市
,我們才有機會討論漏電流上的問題,否則沒有對照組,如何能說明漏電流是造成prescott高熱的兇手??
最後我們討論的結論很消極,由於我們根本不是intel的員工,拿不到內部的資料,因此根本無法斷定prescott的高熱到底原因為何..可能是漏電流,可能是設計疏失導致,無論如何,prescott很熱這回事就是這樣了,intel說什麼就是什麼,他一開始說漏電流那就漏電流,他後來又改口說設計失誤那就設計失誤,真相只有一個,但是也只有intel自己知道^^