功耗過大是因為 "設計" 時 active 電晶體過多與沒有考慮好省電，耗電是主因還是因為電晶體切換與電容耗電，把功耗解釋因為 "漏電流" (不論 static 與 dynamic leakage 的製程因素) 是主要的因素，實在連基本觀念都不知啊!!!