引用:
作者mgsuper
講來講去,我想就只有weichung大大比較有看懂大家在說什麼~
簡單的說就是Dothan為什麼靠電路設計就把功耗降下來~
因為Dothan實際有在工作的電晶體變少了呀,也不需要驅動電流了~漏電流當然也降下來好幾倍~
但有在工作的電晶體就沒漏電流嗎?有吧~只是數量已經變為原來的幾分之幾了,功耗當然也就降下來了~
但光靠電路設計就能解決根本的問題嗎?如果製程在縮小,相同面積下再塞入更多電路呢?
若同樣如Dothan將電路分成數塊,但相同面積下卻有更多的電晶體(如上述,製程縮小同面積可塞入更多電晶體),漏電問題還不是會再度浮現~
也許你可以說,那再把電路分成更細的區塊不就得了~但這樣電路設計的複雜度也同樣會愈來愈高~要耗費的時間及人力成本就會更高~你希望這樣嗎?
嚴格說起來,不管是從電路設計下手或改善漏電或降低時脈或其它,這些都是降低功耗的「手段」~
為什麼要做這樣的電路設計呢?因為「改...
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我想你應該不是念IC設計或是相關的
IC設計時本來就會把功耗考慮進去了
怎麼有可能說在IC設計上考量,就看不到後面的漏電流問題??
當然實做上時可能會遇到更多問題
再來我問你個問題
每當製程縮小時,
電晶體上都越來越多,但是除了prescott之外
哪一次的功耗上升了??
理論歸理論,製程縮小導致漏電流,真的是關鍵??
你的第一段基本上從Banis到Dothan
從130nm k8到90nm k8已經解答的很清楚了
更小的面積下有相同或是更多的電晶體
功耗卻不升反降
如何??漏電越漏越小是吧??
我想..我們前面幾個在一直討論的東西你都沒有看清楚呀
你的文章中指出的一堆問題..前面都解釋很多遍了
正例反例也很多了..難道你只看一篇文章??