引用:
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作者alience
DSL和strain-silicon&DSL能在同功耗下提升電晶體的反應速度嗎??
你確定??
我跟他們討論的結果應是電晶體反應速度上升,但是功耗也上升唷
只是當SOI加上strain-silicon&DSL時就不知道會怎樣了
太複雜了
所以希望有專精的大大可以解說一下
漏電流是果
IC設計問題是因呀
不能以結果解結果呀
當然要以原因來解釋結果呀
否則一定會造成誤會的^^
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k8 e3 stepping venice 是 90nm SOI+DSL，而 d0 stepping winchester 只用到 90nm SOI。
雖然 venice 增加了 sse3 支援，並增強了 memory controller 的驅動能力與性能，還有新增防止一些 cache threshing 的問題，不過 venice 的功耗在許多網站上測試，的確比 winchester 高了一點點，而這些功耗測試並沒有用到 sse3 但是有用到 memory controller，所以也蠻難確定到底是不是 DSL 的關係。