引用:
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作者雲影
印象中DSL跟I老大的的應變硅技術類似。可以在相同功耗下，提升電晶體的反應速度...
那在同個速度加進DSL會有什麼是發生呢 
你不是也說"導致大量漏電流的卻是IC本身設計問題所導致"嗎...
所以問題點就是在"漏電流"啊...
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其實兩邊講的都沒錯啊...
製程縮小會導致漏電流的問題越趨嚴重...
prescott高熱是因為漏電流的問題...
翻翻前面...好像是我手賤去打90nm  |
DSL和strain-silicon&DSL能在同功耗下提升電晶體的反應速度嗎??
你確定??
我跟他們討論的結果應是電晶體反應速度上升,但是功耗也上升唷
只是當SOI加上strain-silicon&DSL時就不知道會怎樣了
太複雜了
所以希望有專精的大大可以解說一下
漏電流是果
IC設計問題是因呀
不能以結果解結果呀
當然要以原因來解釋結果呀
否則一定會造成誤會的^^