作者alience

就我的認知上及和一些交大電子所的朋友討論結果
SOI是偏向針對露電流的解決方案
DSL或是strain-silicon的技術卻是偏向時脈最佳化的解決方案
當這些東西用在一起時
效應異常複雜..我也非專精這個方向..所以只是大致上了解一些
但是我從來不知道DSL或是strain-silicon竟可以抑制漏電流@@
希望有專精的人提出更好的詮釋
為什麼我跟Jasonyang大會比較不偏向漏電之說
因為prescott是個特例..非常反常的特例
且之前intel有承認其prescott有"設計"上的問題
而非90nm的問題
其實intel的90nm製程控制漏電流做的非常好
有機會去翻翻ACE之前的一篇對IBM,intel的90nm評論便可知
只是自從對岸如HKEPC的一些兩光消息出來後
大家就對90nm的漏電流有很大的恐慌..甚至一度懷疑k8也會栽在這上面
所以我前面才會說還在整天把漏電流當做90nm的原罪的
很可能是被intel或是對岸一些報導所誤導
基本上漏...