出處 (
http://www.eetc.globalsources.com/A...20.HTM.b679b016)
隨著時脈頻率的提高，晶片的功率消耗就會增加。只有三種辦法能夠降低總的功耗：降低供電電壓、電容器或者轉換的次數。
而K8加入了SOI減少洩漏電流，雖然SOI透過降低電容器和體漏電電流可以帶來減少電流洩漏的好處，但是SOI身沒有提供更好的電子或空穴遷移率(這也是I老大一直不用的原因...I老大認為使用完全耗盡的通道沒有任何好處，過小電晶體通道寬度會大大增加製造難度，同時也因為發射端和接受端的距離減小會急劇提高外接電晶體的阻抗。)。
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在2001年二月，英特爾公司的技術長Pat Gelsinger在國際固態電路會議中，就談到功耗和發熱是半導體設計中的關鍵問題。Gelsinger認為，在十年內，微處理器將達到30GHz，但如果不對低功耗技術作深入研究，其功耗將達到10KW，漏電流將產生三分之一的功耗。
根...