引用:
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作者alience
怪哩
k8的電晶體數很少嗎??
Dual-core opteron的電晶體數量幾乎是Prescott的兩倍
結果哩
耗電還比較低
發熱量跟電晶體數量有那麼大的關係唷@@
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出處
隨著時脈頻率的提高，晶片的功率消耗就會增加。只有三種辦法能夠降低總的功耗：降低供電電壓、電容器或者轉換的次數。
而K8加入了SOI減少洩漏電流，雖然SOI透過降低電容器和體漏電電流可以帶來減少電流洩漏的好處，但是SOI身沒有提供更好的電子或空穴遷移率(這也是I老大一直不用的原因...I老大認為使用完全耗盡的通道沒有任何好處，過小電晶體通道寬度會大大增加製造難度，同時也因為發射端和接受端的距離減小會急劇提高外接電晶體的阻抗。)。
引用:
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SOI（Silicon on Insulator，絕緣層上覆矽）：電晶體通過一個更厚的絕緣層從矽晶元中分離出來。這樣在電晶體通道中就不會再有不受控制的電子運動，也就不會對電晶體電子特性有什麼影響；其次，在將閾值電壓載入到門電路上後，驅動電流出現前通道電離的時間間隔也減小了。換一句話說，電晶體“開”和“關”狀態的切換性能提高了，這可是電晶體性能的第二大關鍵性能參數；同時在速度不變的情況下，我們可以也可以降低閾值電壓，或是同時提高性能和降低電壓。舉個例子來說，如果閾值電壓保持不變，性能可以提高30％，那麼如果我們將頻率保持不變而將注意力集中在節能性上，那麼我們也可以節省大約50％的能量。
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在2001年二月，英特爾公司的技術長Pat Gelsinger在國際固態電路會議中，就談到功耗和發熱是半導體設計中的關鍵問題。Gelsinger認為，在十年內，微處理器將達到30GHz，但如果不對低功耗技術作深入研究，其功耗將達到10KW，漏電流將產生三分之一的功耗。
根據摩爾定律...每18個月，晶片的閘電路數目就增加2倍，但是閘開關的消耗能量卻沒有以相同的速度下降。結果就是高性能晶片的功耗逐漸增加，同時這些晶片產生的熱量變得難以消除。