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*停權中*
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引用:
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作者jasonyang
主要還是跟設計有關，漏電流雖然有，但不是主因，只是次要原因，卻被 intel 拿來做推託之詞。
拿 intel 自家的 cpu 比就不攻自破：
P4 .13um northwood 3.2CG TDP 89W
p4 90nm prescott 3.2EG TDP 103W
p-m .13um banias 1.7G TDP 25W
p-m 90nm dothan 1.7G TDP 21W
如果 "主因" 是漏電流，為何一樣用 90nm strained sillicon 的 dothan TDP 還是下降了??? (雖然其 idle 時 TDP 也些微提昇)
更別提 AMD 了：
K8 .13um SOI newcastle 3200+ 89W
K8 90nm SOI winchester 3200+ 67W
k8 90nm SOI+DSL venice 3200+ 67W
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本來就是漏電流了，是因為可能Intel有改進基本單位的構造，就是他那一個電晶體的構造，藉此降低露電流。來達成減少功耗的目的。 |