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jasonyang
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加入日期: Sep 2004
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作者mgsuper
P4與P-M不能直接來拿這樣比,就判定漏電流不是主因。這兩者的電晶體數是不一樣的,除非P-M的電晶體數量是大於等於P4,相比較才有意義~

假設單顆電晶體的漏電流是1n安培(這是舉例,通常沒這麼大),[總漏電流量]粗略的算法就是[CPU的總電晶體數] 乘上 [單一電晶體的漏電流]。
單顆電晶體漏電流小歸小,但電晶體數量一多,就很可怕了~

另一個為什麼P-M功耗比較低的原因,除了製程上的改進外,intel應該也用了不少低功耗的設計(這不是廢話嗎 ),這可以從邏輯閘下手,通常低功耗的設計上會用較少的電晶體來完成相同的邏輯閘(例如:傳輸閘),但通常低功耗設計相較於時脈取向的設計會有較高的邏輯延遲時間,不利於時脈的提升。
但P4則完全相反,P4考量的是如何提高時脈。intel的方法是加深管線(把一件事切切切,切成很多份並分工來做),但高達20階的管線是必須額外設計一片複雜的電路來實現,這也...


關於電晶體數量,p-m dothan 可是比 p4 prescott (1M L2 cache) 還多多了,重點還是在於設計(管線深度、節電技術像是 micro-ops fusion等等),導致 dothan 的核心電晶體數量較少,因而省電。
從你自己的言論,你都已經徹頭徹尾地看出還是"設計"的問題,思考請不要被 intel 給侷限住了。
舊 2005-04-30, 10:21 AM #20
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