誰說AMD就沒這個問題，只要是半導體，在製程微縮下勢必電晶體閘極漏電流會變大
只是AMD用IBM技術SOI(絕緣層上覆矽)，大大的降低漏電流
而Intel沒有使用這個技術，因為他自己有一個叫做High-K的技術，將在65nm上實做
所以由於Intel進入90nm後，加上時脈的增加，而電晶體開關更頻繁，使得漏電流影響更嚴重

只是說話要正確不然會誤導別人