與功耗有關的其中一個因素是漏電流，在現有的MOSFET中，漏電流有水平與垂直兩部份。
水平是指Soure與Drain間的漏電。
而閘極氧化層關係著垂直方向也就是閘極的漏電流。

最理想的材料是高絕緣性且可以很薄又Low-k，且與Gate材料的附著力也要夠。
不過世界上沒有這種材質(因為有些條件是相互矛盾的，所以才要有所取捨)，至少目前是還沒被發現。
high-k與low-k材料各有各的優點及缺點。
所以通常高性能也伴隨著高功耗，而要低功耗又要高性能是很困難的。