引用:
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作者666aaron
interconnect 使用銅製程以降低電阻 加上降低EM
請問大大知道為什麼 high-k 要配 metal gate
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gate 絕緣後上面要形成矽金屬化合物才能形成場效電晶體，
high-k material 如Ta2O5 SrTiO3 Ba(Sr)TiO3 等，與矽金屬化合物的附著力不好，容易掉下來，良率會差。因此材料科學家們發現古早的Metal gate附著力很好。因此high k material 比較要配合metal gate。
其實這些high-k low-k材質都會影響良率，因此半導體製程研發越來越困難。