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JUILONG
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加入日期: Jul 2002
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再測SPD新版的GSKILL TCCD 512*2.太勁爆了.2.5V即達成DDR540(CL2.5-3-3-5)

稍早在測試報告專區PO了一篇參數戰鬥力
提升的文章.
沒想到剛剛再續測,以主板BIOS最低的
Vdimm 2.5V就達成了DDR540(CL2.5-3-3-5).
比起之前的參數(CL2.5-4-4-8),效能真的是增加
太多了.
且時脈在2.43G便達到了頻寬70XXMB/S.
效能比之300*8=2.4G,DDR600(1T.CL2.5-4-4-8)
有過之而無不及 .
這點,各位可找之前的文章比對即知.
所以小弟認為.只要RAM參數漂亮,效能是絕對漂亮的.

PS:要提高效能,無非只有兩種方式.
第一.同步拉高外頻(例300外頻),但這種方式RAM參數可能不是很好.
且高外頻不穩的情況較多.
第二.外頻不要太低,恰到好處,而藉著RAM的參數調教來彌補.
這種方式小弟認為較好達成.

不廢話了.請看圖.




等會會以2.5v測ddr540(cl2.5-3-3-5)的視窗men test穩定性.
     
      
舊 2004-09-18, 06:37 PM #1
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