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swd
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加入日期: Jun 2004
文章: 683
引用:
作者jmnw
這可不一定喔 漏電流會變大變小很難講

如果用現有的材料來看的話 好像.11 um or .13 um製程漏電流比較小

製程往下縮 漏電流反而會變大

所以才會有 Low-K 甚至是High-K, SOI, FinFET等等的技術一直不斷的推陳出新

就是要改善漏電流的問題

這個誰都不能保證啦,K8高階版還是一樣會熱啊,去問問那些有裝FX的大大就知道了
一切只能等實際的物品出來才知道
不過我比較好奇雙核心啥時才會正式推出啊?
舊 2004-08-13, 08:08 PM #24
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