us => 1e-6 秒(念作 micro-second)
[抱歉,本來此處誤打成 10e-6,
應該是 10^-6(十的負六次方), 或用科學記號寫作1e-6]

T => 通常代表週期. 不過在這裡不確定是指多少.
猜測: 或許T = 1/f, f為記憶體的clock.
如DDR400, f= 200MHz, T = 5ns

相關的基本原理
(1) DRAM 靠 電容來記憶資料 0跟1,
沒有任何read/write/refresh動作時, 電容上會慢慢漏電,
終至難以區分0/1. 所以要在時限之內作refresh.
(2) 作refresh時, 會妨礙資料的讀寫

所以 refresh的週期設得長, refresh的頻率就越少,對記憶體效能的影響就越小.
但設得太長,資料可能會漏電漏光.