目前CPU進入0.13微米以後,電磁干擾和電子飄移,漏電流的現象只會更嚴重
因為已經接近目前銅矽的物理極限,光是只有SOI,Low-K還是解決不了問題!

目前慶幸0.09微米能夠順利進入量產,但是真正的難題是0.065,以目前發展
半導體每18個月倍增2倍效能,目前的熱功率密度已經快要無法解決,是頭號問題
因此Intel打算在晶圓內部導入物理熱導管,外接循環微水冷技術~~~

AMD因為時脈較低,高功耗發熱的瓶頸會晚一點遇到,不過終究還是半導體共同的難題
說時在這種東西沒有誰最好誰最弱,Intel有自己的技術和專利,AMD有自己的優勢

應該要撇開一些個人觀點來討論,目前討論DDR3也還太早了些!
例如DDR2雖然有時脈優勢,但是跟DDR比起來,延遲時間更長,造成效能抵銷~~~
P4E相比P4C也是類似局面,並不是最新的技術或最先採用就能當王!

AMD在K8搶得X86-64位元先機是正確的,但是可惜沒有擅用優勢拉攏軟體和OS
AMD向來在行銷和產品形象軟弱無能,CEO難辭其咎,沒有安迪葛洛夫一般的決策者

況且K8內建記憶體控制單元,這對於記憶體改朝換代更是一大隱憂~~~各有優缺
討論應該要持平,切勿陷入AMD或Intel瘋狂愛好者的迷思!
這是大陸網友們應該要多注意的!