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超微不只發展雙門電晶體技術,還有３門技術也獲得突破。
在2003年IEDM會議上，AMD表示SOI技術在目前處理器中得到了成功的應用，同時還透露了其下一代SOI技術的一些細節。AMD將啓用新的45nm電晶體製造技術，這一技術將爲邁向45nm制程提供有力的保障。
而根據最近的預測，電晶體的主要部件——負責控制電流通斷的門極必須以２０奈米等級的尺寸製作,才能夠滿足４５奈米制程的要求。目前，根據AMD公司的說法，AMD在其處理器中所使用的門極尺寸大約是５０奈米，但AMD沒有指明處理器的具體型號。
爲了突破２０奈米的門極尺寸壁壘，AMD的新電晶體設計將使用３門結構，該結構不僅有助於AMD將門極尺寸縮小到２０奈米，而且還可以增加門極開關頻率、減小漏電電流。此外，層間絕緣材料方面，AMD則將繼續應用Low-K材料。超微專利數量超過英特爾完全不是造假的。
AMD將用在其多門電晶體設計中的技術有：
完全耗盡型SOI技術：作爲其下一代SOI技術，該技術將對功耗、性能上有所提升；這也是針對省電的鐵沙掌問題。
金屬門技術：門極材料將使用鎳-矽化合物製作，而不是使用目前廣泛採用的多晶矽材料。新的材料可以增大電晶體允許通過的電流值，還可以減小漏電流。這也是針對省電的鐵沙掌問題。
Locally strained channel：該技術通過在電晶體內部電流通道的原子間嵌入特殊材料，來縮短電流通過電晶體電流通道的路徑，提高電流在電晶體內流動的順暢程度。這是解決電阻問題。也會影響省電降溫。
新的SOI技術將以目前在fab３０中大量使用的SOI技術為基礎進行。
同時AMD也宣稱在其使用１３０奈米制程的處理器裏，便已經應用了Low-K材料，在Low-K技術的應用中，可說是先行者，走在了intel的前面。
總之,超微的處理器性能將至少在２００７年之前一直領先英特爾。而且以後只要超微首先使用DDR３技術,那樣今後超微處理器的超級性能,將更容易被強大的記憶體威力灌滿,而呈現驚人威力。
反之英特爾架構使用DDR３的利益將不那樣明顯。在主記憶體遲延上,至少等於英特爾的記憶體性能,被北橋主記憶體控制器與匯流排性能拉後腿,給攔腰砍了一截,遲延相差約３成－４成甚至５成左右。也就是說超微用６５０－８００MHZ的主記憶體的好處,就相當於英特爾用１GHZ的主記憶體的利益。
因為這時英特爾新的雙核心技術,將沒有閃電匯流排與內建主記憶體控制器去減少主記憶體的遲延,這會導致主記憶體的性能加速無法完整的灌入處理器。
超微已經使用了高速匯流排與高時脈主記憶體控制器,就會持續對此２０階管線深度的內建體系加速。理論上一樣是１３０奈米製程,他在主記憶體控制器內部與匯流排時脈就可以拉到３.４GHZX２＝３.８GHZDDR的可怕威力。換言之目前的９３９架構才５００MHZ X ２＝１GHZ DDR的程度,還有巨大的開發潛力。光用這一點就可以輕易對抗英特爾的DDR２。
當然基於技術交換協定,英特爾現在就可以開始把超微技術納入門下,但英特爾在面子上掛不住。總是要動些手腳才好意思使用這些技術。就像AMD６４架構的X８６-６４一樣,英特爾非得改改名子再去用,才會過癮。每其名曰逆向工程。明明就是抄。我寫這段的時候還有人罵。小吉吉幫真是一大票。其實裡面還有AMD６４命名權的問題。我看英特爾膽子也沒有那樣大。這會一直拖出一個結局。
英特爾是沒有資格宣稱X８６-６４架構上面,他英特爾有任何命名權的。
但這要動手腳改良,就得拖延使用最新技術的時間。到達２００７是很合理的時間估計。至少我是有自己適當根據才估計的。
另外,超微會昂貴,也有寡頭壟斷的市場本質問題。只要兩家廠商以默契講好不打價格戰,那樣處理器市場自然還是寡頭統治。那超微自然會走向昂貴。換言之工程版神龍６４是這個鄰家女孩高貴起來之前的最後末班車。想上她的得動作快點。不然用了神鵬就算比英特爾的塞羊妹妹要好－－－那也是屬於小吉吉幫的人了。
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