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Master Member
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引用:
Originally posted by 妞妞
何小吉吉。
為什麼英特爾賽揚處理器的效能會輸給超微的度龍？"
＝＝＝你連３發中指,算是小吉吉幫,因為很多網友喜換對我暴露他們的長度,也就中指長度而已。屎羊那樣屎,當然是輸了。就像一條生產線,netbrust高時脈要灌滿資料,得用更大的快取,才不會讓高時脈空轉。不然得更低的主記憶體遲延。但這兩者都落空。當然是屎。我文章說的是塞洋D。９０奈米的賽洋D有２５６Kb快取。外頻也改善了。單機遊戲性能相當於接近相同標號的K７XP附近,性能相當於B版且較低時脈的奔騰４了,或是A版的同時脈奔騰４。雖然一樣打不過K８神鵬,但神鵬也只比K７XP好得不多。那當然是選工程版的神龍６４了。
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小巫1026小吉吉。
還鐵沙掌勒,電子飄移效應是飄移心酸的嗎?
＝＝＝又是個中指幫。貨短,氣也短。
那是說它很熱。有問題嗎。小吉吉幫提不出大吉吉的問題啊。鐵沙掌主要說的是漏電問題。門泄漏已經成爲採用９０奈米以及６５奈米製程的處理器的發展障礙。CPU製造過程中電晶體本身存在漏電問題。目前存在著兩種泄漏電流：首先是門泄漏，這是電子的自發運動，由負極的矽底板通過管道流向正極的門；其次是通過電晶體通道的矽底板進行的電子自發從負極流向正極的運動，這也被稱爲亞閾泄漏。
這兩種泄漏電流都需要提高門電壓以及驅動電流來進行補償，這對CPU的能量消耗以及發熱量都有負面的影響。這當然可以練鐵沙掌。
除此之外，其他部分將沒有任何改變，他們直接取決於電晶體門寬的大小，而這也間接決定電晶體的速度和尺寸。為此，英特爾已經開始在它的９０奈米生產線上引入了彈性矽技術Strained silicon和新的Low-k電介質。大家嘲笑的P４E實際上很先進。
彈性矽屬於一種超薄的氧化物。該層氧化物達到了１.２奈米厚度的極限,它僅有通道的１/４５，不過彈性矽的作用和目前使用的SiO２剛好相反。SIO２它是作爲電子的遮罩出現的，在其下的通道則是電子由發射端到接受端的路徑，電流越高，電子運動就越容易，速度也越快。
製程的精進原來用猜的可以猜出來,不簡單
＝＝＝產業分析師都是看過一些資料之後用猜的。你看過哪一個dram分析師不是用猜的。寫出山那樣高的一大堆報告,還猜錯。我在X８００開１２管的問題上猜對。事前被N多人罵。不差多一個小吉吉罵。那些分析師能猜對早發財了。當個屁分析師。我是免費的,能寫出這樣,就夠了。夠讓你進出股票賺大錢了。有種別進來看。整天廢話。
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引用文章請註明出處
不知道你從哪裡轉的...應該是目前找到的下面兩個之一...
http://www.southcn.com/it/itzt/cpu/...00403040941.htm
http://www.8080.net/html/200305/h27...490633&CODE=212
不過...肯定不是你打的東西...不要以為翻成繁體就沒人知道了...
目前找到比較早的原文是
http://www.xbitlabs.com/articles/cp...y/prescott.html
講的好像自己很強...理論都不懂...
哈啦啥...
X800 pro能不能開管線早有先例...要猜... 
就算今天拿給你開...你最好能開的出來（是硬改...）...
你用過K8、P4沒有...
半弔子要跟人討論什麼...
GDDRIII跟DDRIII都分不清...跟N大師有的比了... 
分析師用來分析的環境單純是硬體...
你到底分析師的依據是什麼...
還神龍神鵰勒... |