在０.２５微米時代，AMD對英特爾就處於追趕狀態，在轉移到０.１８製程時,AMD落伍的程度也還好。於是AMD和摩托羅拉建立了合作關係。摩托羅拉擁有Apple電腦PowerPC的晶片HiPerMOS７(HiP７)。就是摩托羅拉生産的。AMD交換專利,獲得授權後,其中一部分比Intel的０.１３微米生産技術更好。

　　首先，AMD獲取的交換技術對設備要求較低，僅僅要求２４８奈米設備，這樣可以降低生産成本,這也是當時AMD處理器價格低廉的原因之一。它也使得AMD可以很快步入量產化規模。不過類似英特爾一樣，AMD仍在其産品關鍵的地方使用了１９３奈米蝕刻。其次，HiP７技術的生產要求並不像英特爾的１３０奈米製程那樣高：電晶體的通道長度僅僅需要８０奈米,而不是英特爾的７０奈米，SIO２層的厚度僅僅是１.８/２.５奈米,而英特爾則需要達到１.５/２.４奈米。

　　還有,HiP７可以達到９層銅製程互連的水準。最後，HiP７使得AMD在處理隔離電晶體之間互連的絕緣問題上具有兩個選擇：或是K值爲３.７的氟化玻璃，或是使用K值小於３的低K值原料，即黑鑽石技術,而Intel使用的是K值爲３.６的SiOF。這一技術的影響很類似於處理器從鋁變爲銅的改變，這樣可以讓AMD使用低K值介電體來生産，而Intel要在９０奈米製程上才會放棄SiOF。

　　現在，AMD正在準備下一代生産技術—HiP８，這一技術將對抗的是Intel ９０奈米的P１２６２。目前，AMD已經成功做出而獲得極大突破，Fab３０按照計劃將在２００４年底開始使用HiP８,也就是用在極端昂貴的處理器－－超級電腦/伺服器/工作站用途的。K９做出來之後,推到市場前要花時間累積時脈進度。超微又領先英特爾一步。這個優勢持續到達２００７年是很有可能的。這不是亂猜。這在以前是相反的。都是超微追趕英特爾。

　　而且AMD仍將在HiP８使用SOI技術。SOI,也就是Silicon on Insulator，絕緣層上覆矽,是廠商爲解決亞閾泄漏的問題所推出的解決方案，AMD在０.１３微米製程中就已經採用了此技術。

　　SOI：電晶體通過一個更厚的絕緣層從矽晶元中分離出來，電晶體“開/關”狀態的切換性能提高了，而且同時在速度不變的情況下，我們可以也可以降低閾值電壓或是同時提高性能和降低電壓。

　　如果閾值電壓保持不變，性能可以提高３０％，那麽如果我們將頻率保持不變而將注意力集中在節約電能，那麽我們也可以節省大約５０％的能量。這很適用在筆記型電腦與長時間開機的伺服器上面。這兩個都是超微較低市占率的領域。

　　此外，在電晶體本身處理各種錯誤時，通道的特性也變得容易預計了。但SOI技術也有不足之處，它必須減小電晶體漏極/源區域的深度，這將導致電晶體阻抗的升高，而且電晶體的成本也提高了１０％。

　　針對SOI所帶來阻抗升高的缺點，AMD解決方案是用高K值的金屬矽酸鹽絕緣材料取代目前的二氧化矽，這樣將使得泄漏電流下降１００倍，我們很快就會見到更快頻率的電晶體。新的電晶體將使得性能增加２０％，同時還將降低泄漏電流和門極寬度。超微會很有自信的把大量”所謂的工程版神龍６４”倒出來,也是因為技術已經大幅提昇所致。否則這些貨還要再標號重新賣的。

　　此外，AMD正在準備在未來處理器中使用SiGe技術,也屬於SOI技術,來取代純粹的矽,作爲驅動電流的通道，功效和Intel的彈性矽技術有些類似。使用此種技術這可以使粘結矽層,做得更薄更均勻，其矽層厚度可達１５奈米。

　　用這種方法分離晶圓片時，也可把它放到外延系統的反應室內,通入化學蒸氣,進行原子級刻蝕，也能把矽去掉。AMD此技術似乎比Intel的彈性矽技術更具有優勢。這優勢發展到２００７年也不是問題。

　　通過此技術，電晶體的矽晶格會根據下層元素的晶格調整自己，並將延展一些，潛在的阻抗將會比普通的矽下降７０％，而電晶體性能將提高３５％。

　　當然AMD也在考慮多門電晶體技術，不過AMD所推的是雙門電晶體技術，和Intel的三門電晶體不同，其沒有上方的控制電極。雙門電晶體的寬度大約為門極寬度的１/３，電晶體發送/接受電子束也要窄一些，但由於單個電晶體通道寬度大大減小,對蝕刻技術提出了更高要求。但雙門電晶體相對於傳統的電晶體都有很多的優勢，特別是它縮小了通道長度。

　　總的來說，在生産技術上，AMD未來有足夠的實力應對來自英特爾的壓力。至少到２００７年之前利用製程,並且依靠K７/K８/K９體系延續的性能主義體系,尤其是K８架構出來的共同強化設計,都可以在性能上稱王。至於２００７以後的事,則太遙遠了。