SOI 是 Silicon On Insulator 絕緣層覆矽, 不是超純細也不是超合金new-Z..
最早的 roadmap 上的確講 Barton 要用 SOI, 後來改弦易轍使用跟 Thoroughbred step-ob 一樣的製程. 而且, 如果 Barton 真是用 SOI 做的話耗電量就不會這麼高, 工作頻率會不會再往上拉高就再看看.

其實這樣看來, 我是很懷疑 Paris (256K L2 cache ClawHammer) 也會用一般 silicon 製程下去做... 因為畢竟 SOI 成本太高.