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dolphan
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加入日期: Jun 2002
您的住址: Taiwan,Taipei
文章: 249
b8703139兄...
DDR400的記憶體至少都是2.6V喔...不是2.5V..
甚至有些廠牌內定值是2.7V才能跑..
所以實際上各家都是有偷加電壓的嫌疑..
您可以去查查各家記憶體chip製造商的spec...
像是samsungsemiconductor,winbond,kingmax,micron,infineon等等...
他們都有再網頁上放記憶體顆粒的規格說明..
小弟有看過winbond,samsung,kingmax的...
DDR400都是2.6V正負0.1V,
另外設定成DDR333時電壓為2.5V可到正0.2V...
所以說疑似加電壓超頻??
另外上述各家目前量產的顆粒都是CL2.5的...
就連winbond的CH-5,BH-5都是CL2.5的...
CL2都是採用非正當手段超上去的...
網上諸位大大說可以不加壓達到CL2...?!
推測是主機板偷加電流所致...功率=電壓x電流....
不加壓當然加電流囉...
winbond的CH-5及BH-5規格中只差一項...就是電流值...
一個是130,一個是110(應該沒記錯,反正較高的是BH-5)...
這正好符合CH是較新製程所以耗電較少的說法...
至於為何不好超就不知道了...可能顆粒散熱差,不耐高攻率吧...
舊 2003-06-15, 11:35 AM #35
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