看到狂大的 DDR 上 501 實在是很厲害，而且是 CL2.5 心理就想也去買創見的 DDR 400 華邦顆粒的看是不是也
有這麼幸運，不過台中到處找都找不到創見 DDR400 512MB 是用華邦 BH-5 顆粒的，只看到 CH-5，本想放棄了，
不過卻看到創見的 DDR400 512MB 用的是 Hynix 的顆粒的，想說乾脆買來試試，反正店家說有問題只要沒外傷都
可以換，所以就想說如果不好用在去換，反正店理還有華邦的 CH-5 顆粒，所以就買回去試了，結果 v2.75 上
DDR510，v2.85 上 DDR 540，在上去因為我家的 P4 2.4c 不爭氣上不了 275 外頻，所以沒法試，就算 cpu 加壓
v1.65 將 Ram 設 275 * 1.6 或 275 *1.33 都開不了機，所以沒法試 Ram 的極限，不過我不會貼圖啦，所以沒圖
可以看，如果有那位大大可以幫我貼圖的請跟我說，我把圖寄給您。

我的測試環境如以下
P4 2.4c 是 4月4號的，不過大概是買到籤王了吧！
RAM 創見 DDR400_512MB 兩條跑雙通道 Hynix 顆粒（雙面），編號 HY5DU56822BT-D43
主機板 華碩 P4P800 不是 Deluxe 版的
我是用 1005 版的 BIOS
所有的測試都將 BIOS 中的 Performance Mode 設為 Turbo
RAM 設 By SPD 為 Enabled
Memory Acceleration Mode 設 Enabled

分數如下
DDR 510Mhz 單通道跑 Sandra2003SP1 時分數為 3751/3746
DDR 510Mhz 單通道跑 Sandra2003SP1 時分數為 5740/5746
DDR 540Mhz 單通道跑 Sandra2003SP1 時分數為 3977/3973
DDR 540Mhz 單通道跑 Sandra2003SP1 時分數為 6067/6013