盡量虧 ^^
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Q1的虧損只是剛剛開始而已 ^++++++++^



六大DRAM廠 首季獲利全軍盡墨

記者陳令軒／桃園報導
2003/04/09

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國內六大DRAM廠首季全數虧損，南亞科技 (2408)首季淨損9.27億元，每股淨損0.3元，華邦電(2344) 、茂德 (5387)虧損均在10億元以內，表現優於美光、英飛凌等國際大廠，預計南科、華邦電第二季有機會轉虧為盈。

南科執行副總經理高啟全表示，今年第一季256M DDR從6美元跌至3美元，造成該公司小幅虧損，不過南科第二季75%產能轉進0.14微米，製造成本降低，加上繪圖記憶體、高速DDR400產品比重增加，有機會轉虧為盈。

看好下半年及明年景氣，南科、華亞今年擴大資本支出，南科達88億元，華亞近期也把第一階段擴產計畫，由2萬片提升到2.4萬片，資本支出達230億元，加上明年合計資本支出450億元，投資規模居國內第二位。

南科3月營收19.34億元，月增率17%，第一季稅前虧損10.2億元，稅後淨損9.27億元，每股淨損0.3元，表現優於法人預期。該公司第三季0.11微米投產，全年產出比重增至20%，6月推出512MDDR，由於單價達20美元，將成為南科的獲利秘密武器。

高啟全指出，南科首季儘管虧損，但利基型記憶體仍賺錢，4月開始繪圖DDR月出貨達百萬顆，加上高速DDR400 5月問世，預計全年利基型記憶體比重將達25%。

除南科外，華邦電、茂德3月營收都有起色，其中華邦電第一季通訊用記憶體 (含1T SRAM)出貨比重達記憶體產品約五成，屬高單價產品，本業呈現小幅虧損，加上處分台積電 (2330)7,000張，首季虧損在10億元以內。

茂德處長林育中表示，該公司前兩月仍出現盈餘，3月可能小虧，結算首季小幅虧損，茂德將於第四季導入0.12微米製程。

去年僅小幅虧損的力晶半導體 (5346)，首季因為8吋及12吋廠輪流歲修，合計營收31億元，該公司由於認列100億元折舊費用，首季虧損幅度可能高於10億元。

相較之下，南科、茂德全年折舊也在100億元上下，華邦電因為沒有12吋廠擴產計畫，今年折舊相對較低，可能成為獲利的主要動力。