繼PC3200 DDR400Mhz獲得電子評議會議（JEDEC）追認為記憶體模組新規格後，勤茂資通再次展現精湛的產品工程能力，推出高達466Mhz 的PC3700 Unbuffered DIMM，一舉將記憶體傳輸頻寬推進到每秒3728MB（如圖一）。

勤茂的研發工程師特意在晶圓製程及封裝技術上加強分析，並作出記憶體載板（PCB）線路的最佳佈局，以2.7V±0.1V的電壓就能強化記憶體震盪頻率（Clock Frequency）達到4.3ns奈秒，訊號輸出效能達466Mhz。因此勤茂PC3700記憶體模組的晶片標示：43B代表4.3奈秒/CL2.5（如圖二）。

從技嘉主機板GA-8SQ800 Ultra（採用矽統科技SiS655晶片組）配合超頻CPU實測所得到的SiSoft Sandra 2003 Memory Bandwidth Benchmark數據評比：勤茂的PC3700（CL2.5） 較PC3500（CL2）的效能高出近15.4%，更超出PC3200（CL2）達31%(如圖三)；即使CPU不超頻也能高出PC3200（CL2）達23%的效能(如圖四)。

審視市面上諸多標榜著PC3500（433MHz）、PC3600（450MHz）的記憶體模組仍然採用5奈秒的晶片，固然以超頻的手段可以再提高工作頻率，但總是有一定的風險，諸如：主機板的支援與否？同步訊號的時間差？輸出訊號的堅實完整度？...等等，都關係著電腦系統的穩定性。更有玩家刻意將記憶體供電壓提升到3V以上，這其實是對記憶體壽命的摧殘，即使在模組外包覆散熱防護片（Heat Sink）對拉高電壓後的散熱效果也很有限。

在屬於電腦玩家市場的眾多記憶體模組規格中，唯有從電性規格才能分辨出真正的高速記憶體模組。簡單的辨識方法就是查證各廠家晶片代號的定義是否符合標示規格。例如，勤茂的晶片末三碼：50B代表5.0ns/CL2.5；50A代表5.0ns/CL2；43B代表4.3ns/CL2.5。DDR 466MHz幾乎已經是第一代DDR I晶片的製程的極致表現，唯有朝球陣列式BGA（Ball Grid Array）或晶圓級封裝技術CSP（Chip Scale Packaging）才有機會提升到500MHz以上的更高頻率。

(圖三)CPU及記憶體同時超頻的測試平台規格
測試平台 產品規格編號 備註
主機板 GIGABYTE GA-8SQ800 Ultra
晶片組（南/北橋） 北橋:SIS 655，南橋:SIS 963
中央處理器 Intel P4 2.53G MHz(FSB 533) 外頻133 MHz超頻到140 MHz電壓1.675 V
記憶體模組 TwinMOS PC3700 512MB TwinMOS DDR466MHz （4.3ns）電壓2.7V
作業系統 Windows 2000 Professional
SiSoft Sandra 2003測試評比

(圖四)僅記憶體超頻的測試平台規格
測試平台 產品規格編號 備註
主機板 GIGABYTE GA-8SQ800 Ultra
晶片組（南/北橋） 北橋:SIS 655，南橋:SIS 963
中央處理器 Intel P4 2.53G MHz(FSB 533) 標準電壓
記憶體模組 TwinMOS PC3700 512MB TwinMOS DDR466MHz （4.3ns），電壓2.7V
作業系統 Windows 2000 Professional
SiSoft Sandra 2003測試評比