再測SPD新版的GSKILL TCCD 512*2.太勁爆了.2.5V即達成DDR540(CL2.5-3-3-5)
 

稍早在測試報告專區PO了一篇參數戰鬥力
提升的文章.
沒想到剛剛再續測,以主板BIOS最低的
Vdimm 2.5V就達成了DDR540(CL2.5-3-3-5).
比起之前的參數(CL2.5-4-4-8),效能真的是增加
太多了.
且時脈在2.43G便達到了頻寬70XXMB/S.
效能比之300*8=2.4G,DDR600(1T.CL2.5-4-4-8)
有過之而無不及 .
這點,各位可找之前的文章比對即知.
所以小弟認為.只要RAM參數漂亮,效能是絕對漂亮的.

PS:要提高效能,無非只有兩種方式.
第一.同步拉高外頻(例300外頻),但這種方式RAM參數可能不是很好.
且高外頻不穩的情況較多.
第二.外頻不要太低,恰到好處,而藉著RAM的參數調教來彌補.
這種方式小弟認為較好達成.

不廢話了.請看圖.




等會會以2.5v測ddr540(cl2.5-3-3-5)的視窗men test穩定性.

推一下...很驚人....

+1....非常驚人,DDR540還可以2.5.3.3.5....重點是,2.5V即達成..... :yeah:

夭壽猛 :eek:
我感受到該敗家的氣息了 :flash:

你該殺下去了.....寶寶的奶粉錢再等等吧..... :laugh: :laugh:

先PO一張一樣2.5V,DDR520(2.5-3-3-5)
跑視窗MEM TEST的圖.

神U+神RAM+樓主的神手 :cool:
強到不像話 :yeah:

救命啊∼∼∼∼
那也太強了吧．．．．
我的ｋ７真是沒得比

沒看見沒看見 ~~

再小跑個一小時DOS版的MEMTEST,
一樣Vdimm=2.5v跑DDR520(cl2.5-3-3-5)
讓jamesfu兄鑑定一下 :rolleyes: