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- - 請問一下何謂記憶體的最佳化??
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請問一下何謂記憶體的最佳化??
恩 恩像是說CL2 CL 2.5 CL 3等等差別在哪裡ㄋ??
那其他的設定又是做啥用的阿 ??:confused: 可以請大大教導一下ㄇ???:shy: 感激不禁:agree: |
三言二語說不清 看看組裝書籍便分明:D
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記憶體 運行的週期....
CL1.5 怪物....怪物....一切都是幻覺 嚇不倒我的~~~ CL2 效能目前來說算是優的 CL2.5 普普 CL3 ......目前還沒用過....不過市面上很多...DDR400 CL"3"...買的時候記的看清楚! |
引用:
那請問一下 通常所說的5-3-3-2分別指的是什麼阿?? |
引用:
還有目前市面上有出現標示為DDR500的DDRSDRAM模組幾乎全都是"CL=3"... |
我之前有說明過,用我的ID搜尋看看:shy:
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引用:
3仟多篇....不知爬到何年何月:D :D |
回覆: 請問一下何謂記憶體的最佳化??
引用:
簡而言之.... 1.如FSB 800 VS 533 VS 400 2.超頻用...(對ram而言)... |
引用:
1.RAS active to precharge: 5 cycles 2.RAS to CAS delay:3 cycles 3.RAS precharge: 3.0 cycles 4.CAS latency:2.0 clock cycles |
回覆: 請問一下何謂記憶體的最佳化??
引用:
來吧,這篇文章對你非有幫助的,我也是這篇啟蒙的, http://www.big5.tomshardware.com/ho...0724/index.html 基本上,記憶體讀取有分行與列的讀取,每次都會有他的週期,那些設定就是更改較短的 週期! |
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