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關於Barton核心的製程...?
請問Barton核心的AMD AthlonXP處理器,
有採用SOI技術嗎~ 看到目前的報導似乎都不太一致說 :) |
SOI技術是這個嗎?
"SOI"技術(silicon on insulator)，使用此技術後可將現有處理器的頻率再提升30%.... 這邊說會應用在Athlon 64處理器.. 可是TOM'S說應用到Barton核心... 這邊又說Barton取消了SOI技術... 看得複雜:confused: |
大概K8才會使用到吧.....
不過以後的Barton不知道會不會用...... |
就不才目前所知...AMD只有在Opteron上才有使用SOI(超純矽晶圓)...
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好像是當初說要用 可是後來又說要用在k8上了
應該是技術上克服有問題 所以延後 |
嗯
所以說現今Barton核心應該是最燙的Athlon XP CPU囉~ 但是Die面積比較大 對散熱器接觸面積也比較大 :) 所以說 有些測試反而溫度比較低囉~? |
引用:
SOI 是 Silicon On Insulator 絕緣層覆矽, 不是超純細也不是超合金new-Z.. 最早的 roadmap 上的確講 Barton 要用 SOI, 後來改弦易轍使用跟 Thoroughbred step-ob 一樣的製程. 而且, 如果 Barton 真是用 SOI 做的話耗電量就不會這麼高, 工作頻率會不會再往上拉高就再看看. 其實這樣看來, 我是很懷疑 Paris (256K L2 cache ClawHammer) 也會用一般 silicon 製程下去做... 因為畢竟 SOI 成本太高. |
引用:
SOI晶圓的成本太高,AMD大概會只用在高階的Opteron上...(純猜測) |
引用:
原來如此...多謝yokohama兄的解說:)... 不過...假設AMD真的在Barton的晶圓用上了SOI,那偶想...Batron核心的AthlonXP 售價恐怕會翻高好幾倍...(AthlonXP2500+可能一顆破萬:D...) |
引用:
假如要繼續提升Barton的時脈....加入SOI...也不無可能:p |
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