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記憶體參數問題?
請問一下各位大大,記憶體參數如果設的越低,是不是效能會越高呢?
是的話會比高的參數大約差多少?謝謝:) |
回覆: 記憶體參數問題?
引用:
皮朋兄安安: 理論上是越低越好!但是也得視ram的體質和SPD而定 一般比較有影響的是CAS Latency(可選2,2.5,3)和RAS(可選1~15) 有時RCD也很重要!因為有些RAM死都上不了RCD=2, 一般最佳化多設在5(RAS)-2(RCD)-2(RP)-2(CAS Latency,也就是CL) 希望有點幫助!:D |
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引用:
狂大安安請問狂大: 我就是那個RAM死都上不了RCD=2,只能到3. 我剛買;請問是否拿回更換呢?(adata 400 512mb*2). 8RDA+C1, 1700+0308RPMW, adata 400 512mb*2 , (400W). 謝謝! |
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引用:
狂爺安安啊,小弟昨天好不容易把創見DDR333 512MB*2超到DDR400,可是參數只能到CL3,開在低就進不去OS,本來在DDR333的時候可以跑5-2-2-2,所以現在要想辦法看能不能在DDR400跑5-2-2-2:P |
RAS,RCD,RP,CAS Latency
各位前輩, 能否詳解RAS,RCD,RP,CAS Latency各參數的功能及起著什麼樣的作用 ?
先謝了 |
回覆: RAS,RCD,RP,CAS Latency
引用:
以A7N8X的5-2-2-2T來說 5 RAS: <SDRAM ACTIVE PRECHARG DELAY> :SDRM送出的啟動命令延遲時間 有1到9可選,這項目最好能壓到6以下. 2 RP: <SDRAM RAS TO CAS>:SDRAM 送出啟動命令與開始讀寫命令2者間的週期,通常有1到7可選. 2 RCD: <SDRAM RAS PRECHARG DELAY>:SDRAM送出預備充電命令的延遲時間, 通常也有1到7可選 2T CAS Latency: <SDRAM CAS LATENCY>:SDRAM送出讀取命令盒實際上資料開始動作的週期時間,同常這項目比較重要,能用2T是最好的, 通常有2T,2.5T,3T. 貓兒希望能為您帶來點助益!! |
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G_G 很PRO呢. 3Q3Q!!! 多謝賜教 |
阿勒 .....這個我不懂....問問狂大吧!!
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那真的要看店家囉... 一般我聽到RCD上不去應該是winbond 的ch-5案例多一點!:D ************************************************** 月貓兄講的很好!:D |
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呵呵....您這麼說...貓兒會不好意思滴.....:shy: |
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