請問CL值對整體效能影響的程度
 

抱歉...以"CL值" 爬文不給爬...

請問就CL值=3與CL值=2.5的DDR400 512M ram 而言,其效能差異性大約是多少 ?

若就 CL = 3為60分而言,CL = 2.5的可以達到約幾分 ?(比喻而已)

在BIOS上可以見到可調2T,2.5T,3T,與此值有關係嗎 ?是否CL=3的只能調於3T,若是硬調
成2.5T或2T即表示為超頻呢 ?

謝謝

節錄自拙編 K8超頻圖文教學-終極完美v3.2
CAS# latency (Tcl) 注意:此項為DRAM最重要之參數優化項.
有2、2.5和3 ns
全名:預充電時間 (CAS Latency)：通常簡稱CL。
例如CL=3，表示電腦系統自主記憶體讀取第一筆資料時，所需的準備時間為3個外部時脈 (System clock)。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準備時間，相差一個時脈，對整個系統的效能並無顯著影響。

因為影響系統效能的最主要變數仍是CPU時脈，所以超頻一般皆是以提升外頻*倍頻=最大值為首要。
而記憶體的Tcl值僅在系統記憶體傳輸效能上扮演要角，越小的值，代表越快的時脈週期，也代表了越短的記憶體延遲。

如果說Cl=3，User自行調整至Cl=2.5，在整體系統上提升的效能約不到3%吧
(個人主觀判斷)
而現今大部分的記憶體顆粒製造商，其標定的標準SPD值，大部分都是CL=3
，但是並非不允許玩家自行調整至CL=2.5。
應該是因為現今的DRAM型號顆利多，
且為配合眾多的晶片組、CPU、MB廠、當然是以保守的參數值
為出廠預設值，免的出現一推相容性的問題..

不過也有的是記憶體顆粒體質普普...無法以CL=2.5穩定運作DDR400(可能可以跑DDR333..)

能否跑到CL2.5值，最主要還是要看記憶體時脈與體質，還有系統相容性...
一般來說 高DRAM時脈需要配合大的記憶體參數
低DRAM時脈，可以搭配較小的記憶體參數
以我自己的Hynix D5而言
體質較普通，預設DDR500可以跑CL2.5-3-3-5
如果跑到DDR520 則需要加壓至2.8v 才能穩定CL3-3-3-5

以上...

感謝大大的回覆
您的大作,小弟常拜讀呢 ^_^

再補充一下...如何可知道主機板支不支援該RAM ?
華碩p4s800可支援DDR433以上甚或DDRII的嗎 ?

體質較普通，預設DDR500可以跑CL2.5-3-3-5
如果跑到DDR520 則需要加壓至2.8v 才能穩定CL3-3-3-5
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抱歉,恕小弟愚昧...那四個數值分別代表為何 ? 是否亦可從BIOS調校 ?
感恩...

我想該解釋一下DRAM與系統外頻間的關係

無論是K8或是P4系統，其最佳的搭配應該都是DRAM與CPU 外頻同時脈。
以K8系統而言
DRAM 200Mhz/DDR400 搭配系統CPU外頻也是200Mhz/200(HTT)X1'2'3'4'5'
DRAM 250Mhz/DDR500 搭配系統CPU外頻也是 250Mhz/250(HTT)X1'2'3'4'5'

至於P4系統，大體而言也是相同的，差別僅是在MCT，Intel是做在其北橋，
因此系統記憶體效能重責大任就落在北橋，而能否支援DDR400以上或DDRII，
需要視北橋能否提升DRAM時脈運作或支援新的DDRII記憶體傳輸方式，
但是，若CPU仍是維持標準200Mhz外頻，
則光提升記憶體效能、頻寬意義是不大的..

最好是兩者一起提昇，或者，提升CPU時脈即可.....

DRAM參數設定 順序為(Tcl) - (Trcd) - (Trp) - (Tras)

CAS# latency (Tcl)
RAS# to CAS# Delay (Trcd)
Row precharge Time (Trp)
Min RAS# active time(Tras)

在Bios中，一般來說皆可以調整...不過並不能保證Bios選項就如同上述...

還有...這些資訊，在教學有喔...您是否沒有注意到呢?

您是指您的那一篇K8超頻的教學 ? 小弟再仔細看一次

上回已把您那篇加入我的最愛,再翻出來仔細看看先 ^_^"

感謝,雖然我還是似懂非懂,但感謝您的熱心

最後...

我目前有一條Apacer 512M cl=3 顆粒是Hynix d43的 DDR400
想再加一條 512M

大大有何建議 ?是用同一牌 ?還是有哪一推薦廠牌 ?
發現kinston及kinmax都有不錯的風評
不知該如何選,混著不同牌用好嗎 ?

不建議購買新的(或是其他廠牌的顆粒)搭配您的Apacer 512M cl=3...

請直接賣掉...然後買兩條同廠商、同顆粒的記憶體....

以雙進、雙出的原則購買、售出記憶體......