威剛DDR433 的記憶體參數???
 

請問一下要如何設才好呢?????本身是設 2.5 3 3 7.....
想問說怎樣是最佳化...........

2.2.2.4就對了啦~
PO清楚一點應該能給你更好的答覆

重po...
請樓主先研究研究..
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關於記憶體參數，一般常出現的，整理略述如下:

CAS# latency (Tcl)
全名:預充電時間 (CAS Latency)：通常簡稱CL。
例如CL=3，表示電腦系統自主記憶體讀取第一筆資料時，所需的準備時間為3個外部時脈 (System clock)。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準備時間，相差一個時脈，對整個系統的效能並無顯著影響。

RAS# to CAS# Delay (Trcd)
全名:列控制器至行控制器傳輸延遲(Row Adress Strobe,列位址控制器)to CAS(Column Adress Strobe,行位址控制器) 。
記憶體控制器會先送出列(ROW)的位址(例如第2列)，然後RAM收到列的位置後，經過一段時間，才會再傳送行(Column)的位址，而這一段時間就是RAS Delay


Min RAS# active time(Tras)
又稱RAM Active Timing(記憶體活躍延遲，我硬翻的..)
一般記憶體模組有分1bank跟2bank(非單面雙面顆粒之分)，當CPU在Bank1找完資料,Bank1便需要一段時間恢復才能再供利用,這一段時間就是RAM Active Timing。


Row precharge Time (Trp)
全名:自我充電時間 (Self-Refresh)。DRAM內部具有獨立且內建的充電電路，並於一定時間內做自我充電， 通常用在筆記型電腦或可攜式電腦等的省電需求高的電腦。


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由於DDR RAM的資料儲存方式，是以一列下去儲存，放滿了或是不夠放，才會換列。
因此位置的傳送常常是(第2列,第2行)、(第2列,第3行)、(第2列,第5行)這種方式。
因此列定址後，只有行在換。也就是說，一直在跑RAS# to CAS# Delay (Trcd)
等到行定址後，又要自主記憶體讀取下一N筆資料，而所需的準備時間就是CL值。
因此RAM的參數中以CAS Latency跟RAS to CAS Delay為最重要。


總結上述，這些記憶體參數選項代表了記憶體在既定的時脈下，(原本的工作時脈)
其DRAM顆粒內部指令傳輸的延遲，或是顆粒自我充電、放電所需時間、準備下一筆、找尋資料時間，等等。因此想要記憶體以高時脈運作，則記憶體參數就必須調高(鬆)
否則記憶體容易傳送錯誤資料，或是不穩定。

最常看到的DDR400/DDR500，記憶體參數有

CAS# latency (Tcl) 3.0
RAS# to CAS# delay (Trcd) 4
Row precharge Time (Trp) 4
Min RAS# active time(Tras) 8

也有更高的(傳輸延遲更久的)
CAS# latency (Tcl) 3.0
RAS# to CAS# delay (Trcd) 5
Row precharge Time (Trp) 5
Min RAS# active time(Tras) 10

以上參數通常適用DDR500以上。


若您的記憶體體質相當不錯，也可以試試看以

CAS# latency (Tcl) 3.0
RAS# to CAS# delay (Trcd) 3
Row precharge Time (Trp) 3
Min RAS# active time(Tras) 6

體質好的顆粒若跑DDR400 參數可以調至
CAS# latency (Tcl) 2.5
RAS# to CAS# delay (Trcd) 2
Row precharge Time (Trp) 2
Min RAS# active time(Tras) 5

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DDR433??其實就是比標準DDR400要好一點點，
極限約在DDR444以下..
通常參數為CL2.5-3-3-6

給您參考

謝謝大大的回覆......我調2.5 3 3 6可以用喔.......那我就調這樣好了.......覺得2 2 2 4有點難....記憶體說不定會掛.........哈哈....

我也用威剛的512MB DDR433,電壓預設值應該是多少?
現在跑432MHZ 2.5/3/3/7 1T 用2.75V會太高嗎?

威剛DDR433 既然已標示 DDR433，就表示其可以穩定於222Mhz以下運作....
則默認電壓值應是2.6v

請試試調回2.6v，並將參數調成CL2.5-3-3-6..

記憶體參數在最佳化後，最好還是測一下Memtest 86+，看RAM跑得穩不穩
，否則操作OS的時候很容易莫名其妙的當掉。曾經差1個Clock而已，Memtest86+
就紅一片了....當然也是當的很爽... :flash:

2.6V的話跑1T不太穩,2T的話則沒問題...2.75V的話跑1T,PRIME95可過8小時
還是暫時先不要加壓好了...乖乖跑2T...


PS.水舞風影大哥好熱心呀~

他本來就很熱心
 

只是上次說要伉儷啟亨的時候食言了而已,除此以外都很不錯...... :ase
如果您用2.7V跑DDR433 CL2.5-3-3-8 1T可以穩過Prime95八個小時,再測Memtest86+DOS版OK的話,建議您就這麼辦吧!
弟自己用過威剛力晶顆粒,還不錯,DDR400 CL2-3-3-6過測Prime95 Blend十四個小時,您就參考參考吧! :shy:

對不起....小的知錯了...
真的對不起V大以及曾經參加的所有大大啊 >"<

那天直接給他睡過頭...汗...

等等就去面壁思過 = =||