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- 效能極限
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- - 將創見 DDR 400 超上 DDR 540
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引用:
看來果然還是BH-5的體質比CH-5來得好,謝謝coolalert大的解說:D... |
嘆氣...
hynix的RAM不能賣到美國,倒貨到台灣了.... 台灣的南亞,華邦,茂矽(德)力晶都會受到影響 |
引用:
我想不用搶拉... 跟茂矽一樣 要倒貨的時候滿街都是..... (看來RAM又要降價了?) |
引用:
既然在AMD的效能就像跛腳， 我想應該沒人想買了… |
引用:
那再請問一下c大CH-5可以在標準電壓(是2.6v嗎?)跑5-2-2-2 or5-2-2-2.5嗎?因為小弟要買的512mb ddr400 ecc只有CH-5顆粒的~(0318wi) |
quote:
-------------------------------------------------------------------------------- 那再請問一下c大CH-5可以在標準電壓(是2.6v嗎?)跑5-2-2-2 or5-2-2-2.5嗎?因為小弟要買的512mb ddr400 ecc只有CH-5顆粒的~(0318wi) -------------------------------------------------------------------------------- 很困難! CH的強項在於2.2.3.5能上高外頻,3是指RAS To CAS Delay, 我測的幾支從0315~0320在AMD的平台2.2.3.5都能上DDR440, BH的強項在於能跑最佳化,2.2.2.5平均都在DDR410左右,少數能跑超過DDR440. 至於力晶顆粒的DDR450,不適用於AMD平台,會挑板.在NF7上1.74V.2.5.3.3.8 要上DDR450都很難,在A7N8X只要1.6V就可跑DDR450,不過極限也差不多就這樣了! 至於2.2.3.5及2.2.2.5則是慘不忍睹! 以上三種各有特色,端看你使用的平台來做選擇會比較好! |
雄哥好阿,現在可以用A7N8X上225外頻了喔!!
之前不是還跟貓兒堅稱A7N8X上不了200外頻嗎!!貓兒可是記的一清二楚!! 但後來就沒下文了!! 看來您換到好的A7N8X摟!! 貓兒的預測果然沒錯! 您之前非常帶賽,買到了一張上不了200的A7N8X!! 引用:
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呃!那是用NF7-S 2.0測的,AMD的平台我有好幾部,A7N8X-D我是用來存放大量資料用的,比較不能亂搞!
不過也懶得換了,AMD在K8未上市前似乎已走到盡頭了,目前正轉戰Intel平台中! |
DRAM Access Cycle 裡面不管如何都需要一些週期下完 Command , Address 之後 , 才能去抓 Data SDRAM 的設計跟 EDO DRAM 和更早以前的 DRAM 不一樣的地方主要在於多增加了 Burst Mode , 也就是如果讀取的資料是連續的位址 , 下完一次 Command , Address 之後 , 可以一次丟出多筆的 Data 之後才需要再輸入 Command , Address 有些 DRAM 被設計成可以擁有非常低的 Latency 就可以開始丟出第一筆 Valid 的 Data , 但是開始傳輸 Data 之後的頻率能跑到多高則不見得就一定成正比 , 一般主機板中所調整的 DRAM 參數 , 多屬於這些前置的 Cycle , 基本上調的越短 , Latency 越短 , 當然整體輸出 Data 的反應會比較好 , 簡單說效率高 , 但是頻寬基本上沒變 , 這樣的反應模式適合存取經常變動跟位址經常不同的資料 有些 DRAM 雖然一開始的 Latency 需要比較長的時間 , 但是開始連續丟出 Data 時 , 卻能夠以極高的頻率運作 , 簡單說 Data 頻寬較大 , 但是 Latency 較長 , RAM Bus 就是屬於此類型的 DRAM 設計 , 比較適合傳輸連續性的大筆資料 |
引用:
謝謝您的說明~ 多一點這類的文章,大家也比較知道超頻是在超那些東西~~ 多謝分享,小弟有學到些東西了!! |
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