話這麼說是沒錯
可是記憶體好像只落不起阿...
就算有起
也不過是曇花一現...:jolin:

之前有大大提起
好像是力晶代工的 :)

我昨天也去買了一條創見DDR333 256mb 茂矽顆粒的...
回來跟我的創見DDR333 256mb 華邦顆粒混插
現在跑166 2-2-2-5最佳化 mb:青雲kx400-8x pro
1700+ oc 2200+(11*166)
穩的很....superpi1M跑的完 玩3D遊戲CEQ也沒問題
讚拉...

今天又在NOVA
買了一條創見DDR333 512mb 茂矽顆粒
已經跌到$$2650了 :like:

弟買了三條創見 DDR333 512MB 茂矽顆粒
可以上5-2-2-2.0
這樣好像跟板上大大差不多吧?

想順道請問一下各位大大
那5-2-2-2.0
第一個是RAS
第二是RCD
第三是RP
請問這些都是什麼意思呢?

是不是數字越小越快呢?
那麼請問各位大大
有沒有比5-2-2-2.0還能夠小的呢?

另外
我的BIOS裡頭還有一個Memory Frequency
弟是設定 BY SPD
請問這樣有沒有把效能完全發揮呢?
在這個選項裡

有50%到200%
這又是代表什麼意思呢?
是不是200%就比 BY SPD好呢?

還煩請各位大大指點指點:confused:

請問csiesam 大大
您的CPU序號是什麼呢?
您的CPU有加壓嗎?
還有您的CPU風扇是...:confused:

創見 DDR333 512MB 三菱-Good!
創見 DDR333 512MB 三菱 顆粒 測試:

磐英 8K9AI 之 BIOS 設定如下:

System Performance- Ultra (Turbo)
DRAM CAS Latency- 2
Bank Interleave- 4 Bank (2 Bank)
Precharge to Active(Trp)- 2T (3T)
Tras Non-DDR400/DDR400- 5T/6T (6T/8T)
Active to CMD(Trcd)- 3T (2T)
DRAM Burst Length- 4 (8)
DRAM Queue Depth- 4 level (2 level,3 level)
DRAM Command Rate- 1T Command (2T Command)
Write Recovery Time- 2T (3T)
tWTR for DDR400 only- 1T (2T,3T)
DCLKI Timing- 0.5ns (1.0ns)
DCLKO Timing- 0.5ns (1.0ns)

經 R,S,T 測試通過:

2.5V - DDR 333 OK!

2.7V - DDR 400 OK!

唯一的疑問是 Active to CMD(Trcd)- 3T 即使是 DDR 333 也無法選 2T (Why?)

上述 BIOS 設定對吧?還可以再選()內的數字做最佳化嗎?

環境:
M/B:8rda+
RAM:創見 512mb 333 茂矽*2

在DDR 333 底下
單/雙通道 5-2-2-2 2.65V==>OK
在DDR 400 底下
單通道 6-3-3-3 2.65V==>OK
雙通道,還沒試!

個人覺得茂矽還不錯,尤其是DDR 333 雙通道的相容性!!

看來跟我的差不多....
1.創見ddr333茂矽顆粒256mb
166 2.5v 5-2-2-2.0
200 2.7v 6-3-3-2.5

2.創見ddr333茂矽顆粒256mb
166 2.6v 5-2-2-2.5
200 2.7v 6-3-3-2.5

3.創見ddr333茂矽顆粒256mb
166 2.7v 5-2-2-2.5
200 2.8v 7-3-3-2.5

這三條顆粒的數字都差不多.....真奇怪

創見的 DDR333 512Mb茂矽顆粒
 

今天3/15我興沖沖買了二條
創見的 DDR333 512Mb茂矽顆粒,
結果同時二條ram裝在我的青雲
PX845E PRO 2主機板CPU P-1.6AG
,ㄟ偶都未超頻竟然都不給進去WIN98,
真素太神奇了,我還拔起RAM來互相對調
重插,還素不行ㄟ,素偶帶賽還素真的
RAM的品質下降呢?