曝光機解析度已經並非極限, 極限已經是轉回E Beam去了(只是成本一般人無法接受, 所以改成E Beam+Photo Lithography)
UV曝光機解析度的極限應該是已經達到了, 得改用EUV或是E Beam才能曝出你想要的圖形
另外GG的製程代號已經是灌過水的.....

真正的極限是Silicon材料本身的穩定度, 低於70A, 又要承受高溫與高電流的狀況下, 有可能材料會產生類似electron migration或是doping材料的再擴散之類的狀況導致電晶體fail

其他的限制主要包括了氧化層的抵抗力(後面得牽扯到平坦化材料與CMP)

製程微縮就像是春藥一樣
吃了會上癮(因為基本上是所有降低成本的根本....)

3D封裝無法產生和製程微縮一樣的成本降低效益

MRAM和FRAM都已經玩一陣子了, 主要是頻率上不來(比起DRAM), 故障率和DRAM比也偏高,寫入功耗較大(重點是實際上是有壽命限制的Orz, 操作溫度區間也受限)
和Flash類比起來當然是快上不少.... 但是也沒有到可以改變半導體生態的結構的程度

這倒是真的
我認識一個跳級兩次的同學
博班畢業後 在美國工作幾年後回台
之後就一直在台積電
同學對他的評語
聰明又用功 標準的學霸
簡直沒弱點
:flash: :flash: :flash:

要論製程，intel的才是真。微縮製程，其他兩間都嘛取巧的，不過intel好像也快加入取巧班了，因為他們發現四邊一起縮太困難了..

但是既然要拉整間intel，而不是只拿代工/製程部來比的話，那也要把台積電+它的先進製程客戶一起算來比吧? 這樣讓intel窮的機率就不會是0%...

別瞧不起台積電的最先進"代工"，先進製程要真那麼簡單也不會一堆公司卡關或是退出，能玩的起的真的只能動用國家的力量啦，***跟intel可是因為本業很賺才有辦法填這個錢坑，比起來台積電根本失敗不得...

不會, 就是等次世代的NVM 相對便宜 + 可以量產 之後, 就會開始有些系統要嘗試用NVM取代 DRAM+NAND 了

學界已經討論多年了, memory hierarchy 被改寫, 一直都是時間問題而已

很多中小型的mcu系統都是靠 NOR 而已, 根本沒RAM

哦.... 敝部門開發和AIoT產品算是滿強相關的
SRAM還是目前主流, 甚至經濟版本的產品現在都拉到256KB SRAM了

即使是最微妙的TI FRAM產品, 實際上內部還是會搭載2KB SRAM
只用NOR, 系統早就死光了.....
(好歹也給個128Byte的活路唄....砍光光是不實際的)

eeprom 一百萬次的寫入都可以搞掛了 沒sram是要怎麼活 :laugh:

說的好像intel就不用ASML的設備一樣XD
我們家的設備跟台GG差不多啦

那為何其他工廠不跟ASLM買設備就好了？這樣也能生產一樣的產品啦~台積電買斷？

因為小孩玩不了大車
現在全世界只有三個大人
intel, GG, 三星