PCDVD數位科技討論區 - [問題]為何0.9製程P4比AMD的溫度還要高？

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之前K7當紅時，大家都批評它熱的要死，會當機，不要買.........現在換P4火熱了，怎麼沒人說P4又熱又貴又爛，不要買................

K7用到會當機，是不允許的，應該踢你出PCDVD..............

引用:

作者tody

誰說AMD就沒這個問題，只要是半導體，在製程微縮下勢必電晶體閘極漏電流會變大
只是AMD用IBM技術SOI(絕緣層上覆矽)，大大的降低漏電流
而Intel沒有使用這個技術，因為他自己有一個叫做High-K的技術，將在65nm上實做
所以由於Intel進入90nm後，加上時脈的增加，而電晶體開關更頻繁，使得漏電流影響更嚴重

只是說話要正確不然會誤導別人 :jolin:

其實
整天在漏電流上著墨的人
早就已經被intel誤導了
進入90nm製程之後熱的只有Prescott
其他cpu都變涼了
這麼簡單的邏輯難道還會不清楚嗎??

引用:

作者cmh7130

深有同感......

為什麼沒人一直的攻擊p4熱量攀升呢??
不過,可能是因為以前AMD會燒毀,而p4很熱,但卻不會燒毀
若當初AMD有把防護措施做好就好了,就算熱量高,不會燒掉,當時大家也不會對它
壞印象這麼深刻...

引用:

作者cmh7130

我當了，K7-2500 OC 3200。別踢我。 :ase

http://tw.f4.page.bid.yahoo.com/tw/auction/d11694149
想換K8的最後絕招 :cry:

引用:

作者alience

其實

進入90nm製程之後熱的只有Prescott

Prescott 為什麼熱....就是因為漏電.....
XEON也很熱阿!!~

引用:

作者mgsuper

P4與P-M不能直接來拿這樣比，就判定漏電流不是主因。這兩者的電晶體數是不一樣的，除非P-M的電晶體數量是大於等於P4，相比較才有意義~

假設單顆電晶體的漏電流是1n安培(這是舉例，通常沒這麼大)，[總漏電流量]粗略的算法就是[CPU的總電晶體數] 乘上 [單一電晶體的漏電流]。
單顆電晶體漏電流小歸小，但電晶體數量一多，就很可怕了~

另一個為什麼P-M功耗比較低的原因，除了製程上的改進外，intel應該也用了不少低功耗的設計(這不是廢話嗎 :stupefy: )，這可以從邏輯閘下手，通常低功耗的設計上會用較少的電晶體來完成相同的邏輯閘(例如:傳輸閘)，但通常低功耗設計相較於時脈取向的設計會有較高的邏輯延遲時間，不利於時脈的提升。
但P4則完全相反，P4考量的是如何提高時脈。intel的方法是加深管線(把一件事切切切，切成很多份並分工來做)，但高達20階的管線是必須額外設計一片複雜的電路來實現，這也...

覆議!! 我到想看看P4降到1.5GHz的power consumption
有人有相關資料的嗎?

難道沒有人看到在INTEL上面應用的最新的應變硅技術嗎？應變硅技術就是用來減少漏電流的沒有人看過相關的技術報道？

引用:

作者HSM

Prescott 為什麼熱....就是因為漏電.....
XEON也很熱阿!!~

只是因為漏電所以熱嗎??
xeon也是Prescott核心呀
當然也很熱
那為甚麼Dothan轉入90nm比130nm的Banis涼
Dothan時脈還比Banis高
k8轉入90nm之後同時脈也比130nm省電許多
所以只是漏電嗎
那為什麼其他cpu都不會漏
不要告訴我時脈太高喔
也別說電晶體數太多喔
Prescott本身核心設計有問題intel自己都承認了
何必再在90nm的漏電上一直作文章
那這樣下去65nm豈不是漏電更嚴重??發熱更高??不太對吧

引用:

作者murodoch

難道沒有人看到在INTEL上面應用的最新的應變硅技術嗎？應變硅技術就是用來減少漏電流的沒有人看過相關的技術報道？

什麼是應變硅??
應變硅為什麼可以減少漏電流呀??

可是說實在話~~~P4那麼燙！就是不會當！不知道是要讚美他還是~~~~唉！