也就是說直接從200*11開始超
不行在慢慢降

如果堅持要200*11就加電壓

這樣說對不對

ㄜ 我上一篇的問題是問記憶體
不是CPU(汗)

所謂5-2-2-2的順序是tRAS-tRP-tRCD-CL,首先CL跟tRCD是最難搞的,一般記憶體CL跟tRCD調2會很容易開不了機或非常不穩,所以通常會先調6-3-3-2.5,能穩的話再試試5-2-3-2.5,然後貪心一點再到5-2-3-2,能這樣穩跑就算不錯了!

就是這樣:)
再提醒一下louis819兄，正如KJZZ兄所言，CL(Cas Lantency)最難搞，但它的效果影響也是最大的。高頻率時要跑2很難，所以較低頻率才去試，不然可能會很不穩，甚至無法開機...若你的外頻跑超過185(DDR370)，而你目前的經驗又不是很夠的話， 小弟建議別試2了，但若你有膽識，就上了吧:D

感謝:D
那如果單跑333赫茲的話 有機會CL跑2嗎?
你所說的連按INSERT方法對所有主機都有效 ?我的是NF7-S
還有 調完後有沒有什麼比較簡易的測試方法?
問題有點多 見諒^^

nforce2 晶片組，跑 CL = 2-2-2-5 和跑 CL = 2-2-2-11 測試出來都差不多，如果記憶體可以上 CL = 2，那我建議跑 CL = 2-2-2-11 就好，記憶體才不會因為參數太緊了，又加上加電壓使用，很容易掛掉。

如果不行，跑 CL = 2.5-2-2-11 也不錯，不然系統不穩也是白搭。


因為就連以前最好的最佳化記憶體顆粒 → 華邦 BH-5，要跑 CL =2-2-2-5，通常都還是要加電壓的，而目前華邦早已退出標準桌上型記憶體市場了，市面上已經沒有容易跑最佳化參數的記憶體了。

若是照bob0123兄的建議
跑2-2-2-11
跟 club700兄建議的2.5-3-2-5(是這樣排嗎?)
有什麼差?
完全要靠自己感覺嗎?
我的是創見 三星顆粒的樣子

三星顆粒不要動參數了，三星顆粒的特性是很穩定，但是不好最佳化，這是無法兼顧的。:think:

而且三星顆粒預設都是 CL = 3，光是要跑 CL =2.5 就已經不容易了。:jolin:


通常記憶體參數最佳化，有幾個效果，
1.Super Pi 測試變快，可能只有 1~2 秒。
2.測試 3DMARK2001SE 都幾 2~300 分 ← 這是以顯示卡本身上萬的分數來說。
3.看爽的。


如果以上對你來說都不重要，那記憶體參數最佳化做什麼？:rolleyes:

1.最近把CPU調成18*100(1.68V)
RAM調成200(1.5-2-2-6)
開機慢的可以..(Super PI:32M過,成績忘ㄌ):jolin:
PS:RAS Active Precharge Delay沒選項調成5..
但CAS Latency可調成1.5..

2.後來把CPU調成13.5*133(1.68V)
RAM調成266(1.5-2-2-6)
感覺好一些.....(Super PI正要測..):fear:

3.之前是CPU:11*166
RAM:333(2.0-3-3-6)
比較快...:cool:
配備如簽名檔~
僅供你參考^^"

長按insert回復之前安全的BIOS值，小弟知道對NFORCE2的主機板好像都有效，所以NF7S應該是可以的。
用單純測試memory效能的軟體，我都是用sandra 2004的memory bandwidth benchmark來測。:)