|
PCDVD數位科技討論區
(https://www.pcdvd.com.tw/index.php)
- 系統組件
(https://www.pcdvd.com.tw/forumdisplay.php?f=19)
- - [問題]為何0.9製程P4比AMD的溫度還要高？
(https://www.pcdvd.com.tw/showthread.php?t=479855)
|
|---|
引用:
Barton核心是k7架構 管線階數為10階 |
引用:
抱歉 的確是有點失去耐性了 只是這些東西之前都討論很多次就是了 另外有一些架構上的基本知識如pipeline,分支預測,或是cache等的基本認知 我想至少要都了解才有辦法討論吧 照你之前的發文來看..你應該有看一些東西..不過有些觀念上的錯誤 不知道是你看的東西寫錯..還是你沒有掌握到正確的意思 另外你英文網站看不懂的話..光看圖表下方的time in second(lower is better) 應該就知道誰好誰壞 另外我之前對你連我貼的連結都不看就猛提問題真的有點生氣 偏偏你提的東西圖表看懂就有解答了 所以才會一直請你回文前請先看清楚別人提的東西 看不懂就要花時間去看懂再回文 另外那位YAMAHA3200大大則機乎全部都是錯的 |
看了兩位大大筆戰了這麼久
顯然雙方都聽不下去,雙方也不是專家 何必再談下去 談下去只是浪費時間 不要在這虛度光陰了 |
引用:
重點在哪 ... 抱歉我看不出閣下的文章重點在哪 這串主題不是在討論 Prescott為什麼熱的原因嗎 引用:
你是政客嗎= = 拐彎抹角就是不提重點 引用:
先幫你整理你的論點 : 不然你這篇文章看起來實在太痛苦了 找不出重點 主要原因是漏電流 次要是電路設計 和 製程設計 引用:
前兩點是大家都已知的常識 這沒問題 引用:
Prescott有"嚴重"的漏電流 ? 好吧 姑且先把你這句話翻譯成 Prescott的漏電流 嚴重到使得熱量和能耗增加 這就怪了 這個證明是從哪一條推論來的 還是你要告訴我你是Intel工程師.... 還是你是相信那個早期"Intel發言人"放話說漏電流是主因然後後來紙包不住火只好改口說是設計問題 引用:
一樣是眾人皆知的事 但是我可以告訴妳 大家知道能夠知道的資訊是Prescott高熱高耗能而P-M Dothan和K8低熱低耗能 但是漏電流多少%?? 廠商有公佈數據嗎 就事實來看的確可以推論說P-M Dothan和K8因為低熱低耗能 所以可以知道漏電流對這兩系列的CPU而言並沒有導致CPU高熱高耗能...但是漏電流佔多少%真的不太可能知道 這一整串討論串唯一值得討論的就是漏電流佔總耗電量約多少 而[90nm製程的漏電流導致Prescott高熱]這個結論早就被Intel自家的Dothan打翻了 只是很多人似乎連重點在哪都不知道 引用:
到這裡就更神奇了 :laugh: 閣下的結論到底是怎麼推導出來的 你說的縮短線寬 是製程變細吧 這本來就是漏電流會擴大的原因 但是為什麼Intel工程師不會作出防止漏電流增加的方法而使漏電流降低 Low-K是擺著好玩的 :confused: [但Prescott的漏電流問題卻不單單只因為從130nm跳90nm造成的... 還有電路/製程設計上的問題] 電路設計不當? 電路設計是怎麼影響漏電流這種物理特性的 我倒是很想知道 |
小弟辛苦看完...雖然不是看的很懂，但請容許我寫些心得與想法^^"
1.我看Weichung大大那篇並沒有完全否認是設計的問題，而是說設計與製成兩者都有問題，然後製程的漏電流是主因 2.我前面有看到人家提到屎揚跟prescott，其實也可以把它拿來跟6xx系列比一比呀，這樣可以看到5xx系列的1M cache跟6xx系列的2M cache到底差多少。如果差沒有很多是否著就代表sram對於發熱的貢獻並沒有那麼巨大呢? 3.雖然dothan電晶體比較多好像有一億四千萬左右吧，但是prescott只有一億兩千五百萬左右，相比banias多很多，不過考慮一下6xx有到一億七千萬吧好像也沒比presoctt熱很多。如果以1bit的sram有6個電晶體來說，記得dothan多出來的電晶體好像大部分都拿去做sram囉。況且做ram的難度應該不能與邏輯電路相提並論吧。要不然應該也可以叫力晶去替nvidia代工了。 4.我記得lowk應該不是拿來減低漏電流的吧，highk才是喔!!要不然soi也可以。至於應變矽應該會造成漏電流上升吧，這點是聽通識課老師說的。因為應變矽的閘極會比較關不住電流耶。 所以我想Weichung所以我想大大提出prescott會有嚴重漏電流不是沒有道理的，不輪是再intel自己的說法，國內外媒體的說法，以及使用了應變矽，同時卻又並未像amd加入soi。所以有嚴重的漏電流並非憑空想像吧。而且先前murodoch大就提出了dothan節電的方法，所已樓上說完全被dothan打翻也不一定吧。 |
如果漏電是主因,以Intel這種公司搞那麼久還沒搞定,他們的工程師不知道在幹麻?
難道........Intel要賣power supply ??? |
引用:
漏電可不是這麽好解決的！！如果說漏電主要是因爲電晶體之間的距離過近 那麽在AMD 90nm產品中是否存在同樣的現象？如果不存在的話 他們是通過什麽方法解決的? 僅僅是一個絕緣夕？ |
引用:
漏電的主因是電晶體之間距離過近?? 哇咧..想像力會不會太豐富了 我前面就講過了..要比較要有系統的比較 相似的核心從130nm轉90nm功耗都下降了 prescott沒有相對130nm的核心可供比較 根本就拿不出"漏電流是高熱的主因"的證據 何必老是執著於漏電流的討論 AMD在130nm有沒有SOI..有呀..又不是90nm才用的 說應變矽會增大漏電流好了,P-M一樣用應變矽呀 說Dothan有節電技術好了..Banis也有相同的技術呀 prescott溫度高就是高了..主要原因也只有intel知道 intel先放風聲說漏電,後來又改口說是core的設計問題 真相是什麼也只有intel自己知道了 |
説話怎麽這麽刻薄？ 有錯誤指出不就行了
|
引用:
那這樣好了 你去google搜尋"製程漏電".. 有點基本觀念比較好討論 |
| 所有的時間均為GMT +8。 現在的時間是02:13 PM. |
vBulletin Version 3.0.1
powered_by_vbulletin 2025。