我直說我支持intel.理由是因為你們k8小白太多的緣故
談論組那一種電腦.amd擁護者幾忽都推k8
談比較淺的話題就說K8工作溫度低.一出現比AMD溫度低的INTEL的CPU就把罪歸類在核心不同或時脈效能偏低
說AMD效能比INTEL好.測試軟體成績很漂亮.可是敢拿市售軟體上來互嗆的有幾個K8使用者敢拿出來.雖然有但都是一些GAME.打GAME算實用?打GAME有出息?

這樣吧 我就把大陸出版的微型計算機當中的相關報道提取一部分PO上來吧 雖然這樣很辛苦 不然的話你們還真的不相信

可是光Winrar這個popular的解壓縮軟體P4就輸的一屁股了 :laugh:
別人不想用比較慢又比較燙的CPU難道就要被你說成是小白 :think:

隨你便吧.用WINRAR可以當飯吃嗎.
我繼續沉淪我的VEGAS的剪輯煉獄
慢?那裡慢?請自個拿碼表把測出數據出來
常用WINRAR的人那一個不是P2P的使用者
大家還不是一樣打電動掛P2P.長進的人會拿來敢報告或工作用

電腦玩Game只是娛樂
跟出息沒啥直接性關聯
至於您喜歡用Intel
那也是隨你的意
您覺得K8小白多
那這邊大概蠻多人都會是您眼中的K8小白
所以我只能說一句.....趕快離開吧
小白是不會退散的 :laugh:

雙應力應變硅技術淺析
一 應變硅是英文Strained Silicon的中文直譯。應變硅技術首先由IBM公司發明，而INTEL公司在業界首次將該技術應用于90NM工藝中，生産Prescott微處理器。
要了解什麽是應變硅，首先要了解晶體管的基本原理，晶體管式一個小開関，決定了電流的通與斷。在實際應用中我們無法無安全控制電流，必須借助一些技術來提高性能和降低功耗，如用絕緣硅SOI（Silicon on Insulator）是爲了防止洩露電流；而硬變硅技術剛好相反，是為了增加驅動晶體管電流而設計的。簡單來説，就是讓晶體管開通使有更多的電流流過。
二 但需要説明的是：由於高性能使用CMOS技術，同時包括NMOS和PMOS管，而不同類型的應變對這兩种晶體管的性能影響是不同的：NMOS只在張應變、PMOS只在壓應變情況下，性能才會得到提高；而NMOS在壓應變、PMOS在張應變情況下性能反而下降。因此，若襯底只採用一種應變的話，一種場效應管的性能可能提高了；而另一種的場效應管的性能可能沒有得到提高，甚至會下降。爲了最終得到CMOS性能的提高，必須在襯底上同時應用兩种應變，分別作用于不同類型的晶體管。
爲此，IBM和AMD聯合推出了DSL技術。
DSL技術是英文Dual Stress Liner的縮寫，意思是雙應力襯底技術。
三 研究結果表明，應用DSL技術后使得NFET和PFET的有效驅動電流分別增加%15和%32 飽和驅動電流分別增加%11和%20。同時空穴的遷移率增加了%60。同時，使用DSL隊產量影響不打大。對於相似的工藝技術過程，使用和不使用DSL技術，生産的微處理器的產量相當。這説明DSL技術能使用標準工具和材料迅速溶大批量生産中，對生産成本的增加不會太大。

在宿舍内 空氣流通不好 我同學的機器曾經在OC到3200后 以72度跑了一個月。

兩個核心所使用的頻率呢？不好意思 你PO的東西我沒有去看
難道你不知道在流水綫級數越多 所造成的錯誤就越多 而錯誤越多就需要更多的時脈去彌補這個錯誤嗎？不然的話INTEL爲何要這麽高的時脈？
還有 時脈越高 所造成的功耗也越高 難道不是嗎？

還有 有一點我很不解
我會在我PO的圖中指明出來
148第四項測試成績僅僅比175高出13？這就是雙核心的表現？
能否解釋一下？圖中的那些圓柱到底代表什麽我也不清楚，所以我無法作出解釋
你能否給解釋一下？

不要意思 忘了PO圖勒