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- - [問題]為何0.9製程P4比AMD的溫度還要高？
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我想你應該不是念IC設計或是相關的 IC設計時本來就會把功耗考慮進去了 怎麼有可能說在IC設計上考量,就看不到後面的漏電流問題?? 當然實做上時可能會遇到更多問題 再來我問你個問題 每當製程縮小時, 電晶體上都越來越多,但是除了prescott之外 哪一次的功耗上升了?? 理論歸理論,製程縮小導致漏電流,真的是關鍵?? 你的第一段基本上從Banis到Dothan 從130nm k8到90nm k8已經解答的很清楚了 更小的面積下有相同或是更多的電晶體 功耗卻不升反降 如何??漏電越漏越小是吧?? 我想..我們前面幾個在一直討論的東西你都沒有看清楚呀 你的文章中指出的一堆問題..前面都解釋很多遍了 正例反例也很多了..難道你只看一篇文章?? |
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在相同的製程技術及電路架構下及相同時脈下 northwood導入90nm會有更大的功耗，但還不及prescott功耗大，除非有做其它改善(也就是有改善電路架構或製程技術) 但導入90nm的northwood的時脈上限不見得就能上的了prescott的最大時脈~之所以會有prescott的出現那是因為intel當時在桌上型處理器以提高時脈為優先考量~ 沒有人再誤導你~而是人家看到了未來，而不只是當下~ 如果你有興趣~你也可以去多多看些半導體相關的書，不要侷限在電路設計上，你就會了解那些文章並沒有誤導你什麼~漏電流也並沒有被抄熱，早在n年前國外的論文就已經提出來了~ |
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我有很興趣的是 northwood導入90nm製程會有更大的功耗 請問是哪裡來的?? 給個出處吧 還是你自己猜的??那麼多反例了 前面提出的連結你都有去看清楚了嗎?? 回歸原點好了 prescott為什麼會超熱..答案當然是漏電流.. 漏電流怎麼來的??因為導入90nm嗎?? 不是這樣的吧@@ 實際上90nm每個電晶體功耗都比130nm低 不爭的事實呀 不要限在理論的死胡同轉不出來 |
功耗過大是因為 "設計" 時 active 電晶體過多與沒有考慮好省電，耗電是主因還是因為電晶體切換與電容耗電，把功耗解釋因為 "漏電流" (不論 static 與 dynamic leakage 的製程因素) 是主要的因素，實在連基本觀念都不知啊!!!
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沒有人跟你說「漏電越漏越小」，你自已想的吧~ 我也已經寫的很清楚了，為什麼電路設計能降低功耗，其中一個因素不就是改善了漏電~ 不同架構不同技術的東西你也能拿來比，然後就從表面數據結論漏電流不算什麼~ [ 沒有人否定電路設計的價值與功勞，只是你一直在否定半導體技術中應有的觀念而已] ~ 我也知道IC設計時本來就會把功耗考慮進去了，但是不是主要考量才是重點~ 我念電子~走積體電路方面，設計與製程都要學，但專題的關係所以比較專半導體~ 我學長就是在做原件漏電方面的，現在已畢業也在業界找到不錯的工作了~ 同學大多是走CAD方面的，學校老師也以CAD為大宗，只是強且年輕的都一直跳槽~ 剛好很幸運有被教到(然後就被挖走了) |
你還在改善漏電，連基本觀念都模糊，難怪人云亦云。
再重複一次，功耗是主因是因為電晶體的切換與電容充放電，不是漏電流，漏電流只佔主因幾個 % 罷了，而漏電流也有許多分別。 漏電流在 90nm 的確越來越嚴重，但是是所有 cpu 都會受影響，不是只有 prescott，其他所有的都沒影響。連這點都解釋不出，那只懂 "一個" 漏電流理論有何用??? 其他的也要考慮進來啊!!! |
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請整句看完~ northwood導入90nm會有更大的功耗，但還不及prescott功耗大，除非有做其它改善(也就是有改善電路架構或製程技術) |
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我之所以會那樣說..是對你之前的問題提出質疑而已 我沒有在否定半導體技術應有的觀念 我的焦點一直在prescott的過熱問題 90nm的漏電流不是關鍵 只是你好像一直都搞不清楚吧 誰都知道製程演進時會加入不同的技術來抵抗製程縮小時一些不好的結果 你既然都了解這個怎麼還會一直執著於90nm的漏電流這問題呢?? 若真是這樣..應所有的cpu都會遭受其害..請問如何解釋其他"反常"的現象 我說過很多次了..理論歸理論.. 說理論誰都知道..翻翻書都看的到 可是如果只有理論..半導體早就走到極限了@@不是嗎 |
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自己亂猜的就不要拿出來當笑話了。 漏電流假設在 dothan 與所有其他 cpu 都不成立啊!!! 只在 prescott 與相關設計成立啊!!! |
不跟你多說了~你們認為怎樣就怎樣~是你們看不懂我寫的意思(也許是我表達不好，請見諒，但不要扭曲又加油添醋)，而非我看不懂你們在說什麼~
整篇跟本就只有weichung大大有從各角度下去看~ 如果你們真的是這樣認為的話，趕快去IEEE上投論文，若能推翻其它論文，你就有機會成為半導體界的名人了~ |
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